Silicon: 硅
Substrate: 基底;底物;底层;基层
Via: VIA，又称过孔，在线路板中，一条线路从板的一面跳到另一面，连接两条连线的孔也叫过孔(区别于焊盘，边上没有助焊层。)
GND: GND是电线接地端的简写。代表地线或0线。这个地并不是真正意义上的地，是出于应用而假设的一个地，对于电源来说，它就是一个电源的负极
Contact: 触点
Metal: Metal金属线是为了传输电流
https://blog.csdn.net/weixin_42104289/article/details/125850242
poly: poly全称polysilicon，在集成电路设计领域，POLY表示多晶材料（通常是多晶硅）的区域
VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压（接电源）；
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压(接地）；
VEE：E=electron 表示构成物质的基本粒子之一，因带负电，也写作e，通常指负电压供电；
VDDH：H=high 表示高压，即高压供电端
电路图中VDD是指器件的电源端。VDD和VCC是器件的电源端。VDD多半是单极器件的正，VCC是双极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。
MOS: MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体
工作原理:
- MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化
作用:
- 可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
- 很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
- 可以用作可变电阻。
- 可以方便地用作恒流源。
- 可以用作电子开关。