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在CH32V208系列芯片中，各个型号的参数如下图：
FLASH的大小包含零等待区和非零等待区，一共是480K。
1、内部实际存储代码的flash为慢速flash;
2、芯片复位后由硬件根据配置把慢速flash的代码拷贝到 用ram工艺做的快速flash区域,然后从快速flash里面运行;
3、芯片内部的慢速flash通常都比较大,并且支持运行代码,只是速度慢了点;
4、WCH官网的宣传FLASH大小实际上是针对快速FLASH.
在手册中查到，可以将快速FLASH/RAM配置为以下三种；需要在WCHISPTOOL工具中配置，也需要修改LD文件与之对应。
在 Link.ld中，也需要修改对应位置的参数
通过V208的EVT中，使用FLASH的例程对flash进行读写、擦除操作以及标准编程和快速编程的过程。编程过程中，只有半字和字编程，没有字节编程
当主频率超过100MHz时，在操作FLASH时需要注意：将HCLK除以2会导致与HCLK相关的外设时钟也被除以2。在使用过程中需要注意这一点。
在程序中，先进行标准编程flash测试,
#include "debug.h"
/* Global define */
typedef enum
{
FAILED = 0,
PASSED = !FAILED
} TestStatus;
#define PAGE_WRITE_START_ADDR ((uint32_t)0x08008000) /* Start from 32K */ //Flash存储器的起始地址，这里表示从地址0x08008000（32K）开始写入数据
#define PAGE_WRITE_END_ADDR ((uint32_t)0x08009000) /* End at 36K */ //Flash存储器的结束地址，这里表示写入数据的结束地址为0x08009000（36K）。
#define FLASH_PAGE_SIZE 4096 //Flash存储器的页大小，这里表示每个页的大小为4096字节（4KB）。
#define FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED FLASH_WRProt_Pages60to63 //需要保护的Flash页范围，这里表示保护页为从60到63页。
/* Fast Mode define */
#define FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR ((uint32_t)0x08008000) //快速模式下编程的起始地址，这里表示快速编程模式的起始地址为0x08008000。（32K）
#define FAST_FLASH_PROGRAM_END_ADDR ((uint32_t)0x08010000) //快速模式下编程的结束地址，这里表示快速编程模式的结束地址为0x08010000。（64K）
#define FAST_FLASH_SIZE (64*1024) //快速模式下编程的Flash大小，这里表示快速编程模式的Flash大小为64KB。
/* Global Variable */
uint32_t EraseCounter = 0x0; //擦除计数器，用于记录擦除的次数。初始值为0。
uint32_t Address = 0x0; //Flash操作的地址变量，用于指定Flash中的地址。初始值为0。
uint16_t Data = 0x1234; //编程数据，用于存储要编程到Flash的16位数据。初始值为0xAAAA。
uint32_t WRPR_Value = 0xFFFFFFFF; ////写保护寄存器的值，用于配置Flash的写保护。初始值为0xFFFFFFFF
uint32_t ProtectedPages = 0x0; //受保护的页数，用于记录被写保护的Flash页的数量。初始值为0。
uint32_t NbrOfPage; //页数，用于记录需要擦除的Flash页的数量。该值由根据计算得出。
volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE; //页数，用于记录需要擦除的Flash页的数量。该值由根据计算得出。
volatile TestStatus MemoryProgramStatus = PASSED; //存储程序操作状态的变量，用于跟踪编程操作的结果。初始值为PASSED。
volatile TestStatus MemoryEraseStatus = PASSED; //存储擦除操作状态的变量，用于跟踪擦除操作的结果。初始值为PASSED。
u32 buf[64];
uint16_t flashdata;
//标准编程
void Flash_Test()
{
printf("FLASH Test\n");
/*When the main frequency exceeds 100MHz, attention should be paid when
*operating FLASH: dividing HCLK by two will result in the related peripheral
*clock of HCLK being divided by two. Attention should be paid when using. //在执行FLASH操作时，如果主频率超过100MHz，需要注意将主频分为二并将与HCLK相关的外设时钟也除以二的情况
*/
RCC->CFGR0 |= (uint32_t)RCC_HPRE_DIV2; //将主频分为二
__disable_irq();
USART_Printf_Init(115200);
FLASH_Unlock(); //解锁FLASH
//页面的起始地址 PAGE_WRITE_START_ADDR 和结束地址 PAGE_WRITE_END_ADDR
//页面的大小 FLASH_PAGE_SIZE
NbrOfPage = (PAGE_WRITE_END_ADDR - PAGE_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE; //计算需要擦除的页面数量，
//忙标志位 FLASH_FLAG_BSY、
//结束标志位 FLASH_FLAG_EOP 、
//写保护错误标志位 FLASH_FLAG_WRPRTERR。
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP |FLASH_FLAG_WRPRTERR); //清除FLASH的状态标志位
//擦除Flash每一页数据
for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
{
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(PAGE_WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter)); //Erase 4KB 执行擦除操作
if(FLASHStatus != FLASH_COMPLETE) //判断是否擦除成功
{
printf("FLASH Erase Fail\r\n"); //失败
}
printf("FLASH Erase Suc\r\n");
}
Address = PAGE_WRITE_START_ADDR; //初始化地址变量 Address 为页面的起始地址
printf("Programing...\r\n"); //表示开始编程
while((Address < PAGE_WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)) //编程Flash
{
FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(Address, Data); //使用FLASH_ProgramHalfWord()函数逐个编程半字（16位）数据到Flash中
// 打印地址和数据
printf("Addr: %08X, Data: %04X", Address, Data);
Address = Address + 2;
}
Address = PAGE_WRITE_START_ADDR; //写入数据起始地址
printf("Program Cheking...\r\n"); //检查Flash 中的数据是否与原始数据相同
while((Address < PAGE_WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED))
{
if((*(__IO uint16_t*) Address) != Data) // Flash 内容转换为 uint16_t 类型的数据，并与 Data 进行比较
{
MemoryProgramStatus = FAILED;
}
Address += 2;
}
if(MemoryProgramStatus == FAILED)
{
printf("Memory Program FAIL!\r\n");
}
else
{
printf("Memory Program PASS!\r\n");
}
FLASH_Lock(); //锁定Flash：调用FLASH_Lock()函数锁定Flash，确保保护已编程的数据。
RCC->CFGR0 &= ~(uint32_t)RCC_HPRE_DIV2; //清除 RCC_CFGR0 寄存器中的 RCC_HPRE_DIV2 位，恢复主频为原来的频率。
__enable_irq(); //使能中断
USART_Printf_Init(115200);
}
通过从串口打印，查看地址下将数据写入
在程序中，快速编程flash测试,
//快速擦除和编程 Flash 的函数
void Flash_Test_Fast(void)
{
u16 i,j,flag;
for(i=0; i<64; i++)
{
buf[i] = i;
}
printf("FLASH Fast Mode Test\n");
RCC->CFGR0 |= (uint32_t)RCC_HPRE_DIV2; //配置时钟分频，将时钟频率分为原来的一半
__disable_irq(); //禁用中断并初始化串口以便进行打印输出
USART_Printf_Init(115200);
FLASH_Unlock_Fast(); //快速解锁 Flash 存储器，
FLASH_EraseBlock_32K_Fast(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR); //快速擦除一个32K字节的块
printf("Program 32KByte start\n");
for(i=0; i<128; i++)
{ //128*256=32768 = 32K
FLASH_ProgramPage_Fast(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR + 256*i, buf); //将数据缓冲区 buf 中的数据以256字节的页方式快速编程到Flash存储器中,每次编程一个256字节的页，循环执行128次，总共编程32K字节。
}
//检查已编程的数据是否正确
for(i=0; i<128; i++)
{
for(j=0; j<64; j++)
{
if(*(u32*)(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR+256*i+4*j) != j) //它会将内存中的值与循环变量 j 的值进行比较
{
flag = 0;
break;
}
else
{
flag = 1; //相同，标志位为1
}
}
}
if(flag)
{
printf("Program 32KByte suc\n");
}
else printf("Program fail\n");
printf("Erase 256Byte...\n");
FLASH_ErasePage_Fast(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR); //快速擦除一个256字节的页
printf("Read 4KByte...\n");
for(i=0;i<1024; i++)
{
printf("%08x ",*(u32*)(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR+4*i)); //通过循环逐个读取4K字节页的内容并打印
}
printf("\n");
printf("Erase 4KByte...\n");
FLASH_ErasePage(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR); //擦除一个4K字节的页
printf("Read 8KByte...\n");
for(i=0;i<2048; i++)
{
printf("%08x ",*(u32*)(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR+4*i)); //通过循环逐个读取8K字节页的内容并打印。
}
printf("\n");
printf("Erase 32KByte...\n");
FLASH_EraseBlock_32K_Fast(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR); //快速擦除一个32K字节的块
printf("Read 32KByte...\n");
for(i=0;i<(1024*9); i++)
{
printf("%08x ",*(u32*)(FAST_FLASH_PROGRAM_START_ADDR+i*4)); //逐个读取32K字节块的内容并打印。
}
printf("\n");
FLASH_Lock_Fast();
RCC->CFGR0 &= ~(uint32_t)RCC_HPRE_DIV2;
__enable_irq();
USART_Printf_Init(115200);
}
通过串口打印出数据，
标签：FLASH,ADDR,Flash,开发板,CH32V208,擦除,PAGE,编程 From： https://www.cnblogs.com/ZYL-FS/p/17771597.html