产品概述
LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET具有集成驱动器和保护功能，让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG342xR050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电 源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。
特点
符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180标准
带集成栅极驱动器的600V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
CMTI：200V/ns
3.6MHz开关频率
20V/ns至150V/ns压摆率，用于优化开关性能和缓解EMI
在7.5V至18V电源下工作
高级电源管理
数字温度PWM输出
理想二极管模式可减少LMG3425R050中的第三象限损耗
强大的保护功能
响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受720V浪涌
针对内部过热和UVLO监控的自我保护
产品规格
1、型号：LMG3422R050RQZR
输出配置：半桥
应用：通用
接口：PWM
负载类型：电感，电容性，电阻
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流 - 输出/通道：1.2A
电流 - 峰值输出：1.2A
电压 - 供电：7.5V ~ 18V
电压 - 负载：7.5V ~ 18V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
特性：自举电路，闩锁功能，压摆率受控型
故障保护：过流，超温，UVLO
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：54-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：54-VQFN（12x12）
2、型号：LMG3425R050RQZR 引脚图
类型：电源管理 - 门驱动器 IC
激励器数量：1
输出端数量：1
电源电压：7.5 V ~ 18 V
配置：非反相
上升时间：2.5 ns
下降时间：21 ns:
工作温度：-40°C ~ 125°C
封装/外壳：VQFN-54
系列：LMG3425R050
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