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AP100N75 场效应MOS 100V75A低内阻 N沟道MOS管SGT DFN5×6

时间:2023-09-02 18:01:27浏览次数:49  
标签:DFN5 AP100N75 RDS MOS TESTED 内阻 100V Gate

Features

 100V, 75A

RDS(ON)<9.2mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON)<13.5mΩ @ VGS = 4.5V

 Advanced Split Gate Trench Technology

 Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

Application

 Load Switch

 PWM Application

 Power management

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

电压:100V  电流:75A   内阻:7.3 mΩ

标签:DFN5,AP100N75,RDS,MOS,TESTED,内阻,100V,Gate
From: https://blog.51cto.com/u_15928923/7334288

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