器件描述:漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A,请139对2659接6180。
应用场景:适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等,可用于电源因数校正(PFC)电路中的桥式整流器和反激式变换器,可用于高频开关电源中的半桥和全桥拓扑结构。
总之,STD4NK60ZT4是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于多种应用场合。
STD4NK60ZT4,LM317MDT-TR,L78M12CDT-TR,L78L05ABUTR,L78L05ACUTR,L78L09ABUTR,L78M05ABDT-TR,L78M05CDT-TR,STTH6003CW,STTH12R06FP,STTH12R06D,
STTH8S06FP,STTH8S06D,STTH8R06D,STTH8R06FP,STTH1002CT,STTH1602CT,STTH1002CFP,STTH1602CFP,STPS20150CT,STPS20H100CT,STP10NK60ZFP,STP26NM60N,
STP22NM60N,STP7NK80ZFP,STP4NK60ZF,STF18N60M2,STF22NM60N,STF28NM50N,STF26NM60N,STPS2045CTC,STTH2003CT,STTH2003CFP,VIPER22ADIP-E,STGW39NC60VD,STW26NM60N,STPS30L60CT,STPS6045CW,STPS4045CW,STGP19NC60KD,STF13NM60N,STPS20S100CT,STW9NK95Z,STTH8L06FP,STF24N60M2,
LM2904DT,STF6N95K5,L78M15CDT-TR,L6574D013TR,SG3525AP013TR,BTA12-600BRG,L7812CD2T-TR,NCP1654BD65R2G,NCP1337DR2G,NCP1252ADR2G,MP1658GTF-Z,
MP9487GN-Z,AZ431AN-ATRG1,AZ431AR-ATRE1,STF24NM60N,VIPER17LN ,L6599DTR,VIPER16LDTR ,ADUM1201ARZ-RL7,SPV1040TTR,VIPER17LDTR,STD100N10F7,
STF13N80K5,L78L05ABZ-AP,STW9NK90Z。
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