1 内存
内存（Memory）指的是内存存储器，又称为主存，是CPU用来直接寻址和存储的空间，它相当于一座桥梁，用以负责诸如硬盘、主板、显卡等硬件上的数据与处理器之间数据交换处理，我们可以把内存看作数据缓存区，一个高速的缓存区。内存之所以称为内存，是相对于硬盘这些外存而言，我们要用的软件数据都安装存放在外存上，但是当我们运行他们时，就需要把这些软件的数据调入内存，才能运行顺畅，因为CPU和内存间的数据交换速度远高于和外存交换速度。 内存条是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
内存分ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)两部分，RAM可以理解为主存，ROM只是很小一部分，比如记录BIOS信息的ROM。而硬盘、U盘等存储设备属于外存，和ROM没有关系。
1.1 RAM
随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
所谓“随机存取”，指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。
RAM特点为：访问速度快，数据易失（断电会丢失数据，电容器或多或少有漏电的情形，不断电数据也会随时间流失，因此需要指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，这一过程称为“刷新”），静电敏感性（静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失）
RAM与ROM最大的区别是，RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。
1.1.1 SRAM与DRAM
1.SRAM（静态RAM）
不要刷新，只要不掉电，数据可以一直保存，存取速度快，但结构复杂，价格昂贵，CPU的缓存用的就是SRAM
2.DRAM（动态RAM）
需要不断刷新，存取速度相对SRAM较慢
3.SDRAM（同步动态RAM）
同步指工作时需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为标准.
同步动态随机存储器（Synchronous Dynamic RAM），采用3.3V工作电压，内存数据位宽64位，SDRAM与CPU通过一个相同的时钟频率锁在一起，使两者以相同的速度同步工作。SDRAM内存有以下几种：PC66/100/133150/166，核心频率分别为66MHz，100Mz133MHz，150MHz，166MHz。时钟频率、等效频率与核心频率相等单根 SDRAM内存数据传输带宽最高为 166MHz × 64bit ÷ 8 = 1.3GB/s。
4.DDR SDRAM（双倍率同步动态RAM）
在SDRAM内存基础上发展而来，仍然沿用SDRAM生产体系；SDRAM在一个时钟周期的上升沿传输一次数据，DDR在时钟的上升期与下降期各传输一次数据。
双倍速率同步动态随机存储器（Double data Rate SDRAM，DDR SDRAM，简称DDR），采用2.5V工作电压，内存数据位宽64位，一个时钟脉冲传输两次数据，分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据，因此称为双倍速率的SDRAM。
DDR内存金手指为184脚。DDR内存有以下几种:：DDR 200 / 266 / 333400 / 500。核心频率与时钟频率相等，分别为100 MHz， 133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 250 MHz，等效频分别为200 MHz， 266 MHz， 333 MHz， 400 MHz， 500 MHz，请注意， DDR内存的等效频率是时钟频率的两倍，因为DDR内存是双倍速率工作的。DDR内存核心采用2位数据预读取，也就是一次(一个脉冲)取2位。
单根DDR内存数据传输带宽最高为500 MHz×64 bit/8=4 GB/s。
5.DDR2
DDR2(Double Data Rate 2 SDRAM)采用1.8V工作电压，内存数据位宽64位。 DDR2内存和DDR内存一样，一个时钟脉冲传输两次数据，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存的预读取能力，即4位数据预读取。
DDR 2内存金手指为240脚。DDR2内存有以下几种: DDR2 533 / 667 / 800 / 066。核心频率分别为133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 266 MHz，时钟频率分别为: 266 MHz，333 MHz， 400 MHz， 533 MHz，等效频率分别为533 MHz， 667 MHz， 800 MHz， 1066 MHz。
单根DDR2内存的数据传输带宽最高为1066 MH2z X 64 bit 8 - 8.6 GB/s。
6.DDR3
DDR3(Double Data Rate 3 SDRAM)采用1.5 V工作电压，内存数据位宽64位。同样， DDR3内存拥有两倍于上一代DDR2内存的预读取能力，即8位数据预读取。
DDR 3内存有以下几种: DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000。核心频率分别为133 MHz，166 MHz， 200 MHz， 225 MHz， 250 MHz，时钟频率分别分533 MHz， 667 MHz， 800 MHz，900 MHz， 1000 MHz，等效频率分别为: 1066 MHz， 1333 MHz， 1600 MHz， 1800 MHz，2000 MHz。
单根DDR3内存的数据传输带宽最高为2000 MHz × 64 bit÷ 8 -16 GB/s。
7.DDR4
DDR4(Double Data Rate 4 SDRAM)采用1.2V工作电压，内存数据位宽64位， 16位数据预读取。取消双通道机制，一条内存即为一条通道。工作频率最高可达4266 MHz。
单根DDR4内存的数据传输带宽最高为34 GB/s。
注：
1，核心频率是内存颗粒内部存储单元的工作频率，即电容的刷新频率。它是内存工作的基础频率，其他频率都是建立在它基础之上的。
2，时钟频率又称内存总线频率，它是主板时钟芯片提供给内存的工作频率。
3，等效频率又称等效数据传输频率，它是内存与外界据交换的实际频率。通常内存标签上贴的就是等效效率。
1.2 ROM
ROM 是 read only memory的简称，表示只读存储器。只读存储器（ROM）是一种在正常工作时其存储的数据固定不变，其中的数据只能读出，不能写入，即使断电也能够保留数据，要想在只读存储器中存入或改变数据，必须具备特定的条件。
ROM主要分为掩膜ROM（专用掩膜板）、PROM（可一次性编程 ROM）、EPROM（紫外线擦除可改写 ROM）、EEROM（电擦除可改写 ROM）、flash ROM（快闪 ROM）等几类。
1.3 FLASH闪存
FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
Flash是非挥发性随机存取存储器（NVRAM），它可以作为缓存或作为直接存储的底层设备。虽然比动态随机存储器（DRAM）慢10倍，但尽管这样，它还比硬盘快得多。它的速度和耐用性，让写操作变得比直接写硬盘快很多。将FLASH作为一个持续的高速缓存，再让它慢慢的写回磁盘作永久数据保存。
NAND Flash的读写以page为单位，在写入前(在这里称之为编程)，需要先擦除，擦除以block为单位，这些操作都会减少器件的寿命。由于NAND Flash的这种特性，使得它在编程时带来了写放大的副作用，并且管理算法更复杂，例如需要垃圾回收算法。所以一般我们对NAND Flash编程的步骤是，先把其中的有效数据page搬移到内存或者其他block中，然后擦除这个block，再把有效数据和新数据写回去。这个过程造成了多余的写入和擦除，这就是所谓的写放大。
NAND Flash一般不单独使用，需要和专用控制器搭配组成一个系统。目前常见的使用NAND Flash的产品主要有固态硬盘(SSD),eMMC,SD记忆卡，U盘等。其中SSD和eMMC稳定性和性能要求比较高，一般需要使用品质优良的NAND Flash。