将stm32 flash和栈相结合，将栈底位置设置成flash地址，可不可以？

在使用stm32产生了一个疑问，可不可以将栈底位置设置成flash的某个具体位置，这样就可以将参数写入读取，于是便探寻可行性。

在STM32中，Flash存储器用于存放程序代码，而栈通常用于存放临时数据和变量。根据STM32架构设计，Flash和SRAM两者之间是相互独立的，Flash的写入和读取速度相对较慢，因此不适合作为临时数据存储区域。

在将栈底位置设置成Flash地址时，可能会引起一些问题和不可预期的情况。因为栈底指针一般是在程序运行时动态变化的，如果将栈底位置设置成Flash地址，可能会导致覆盖程序代码，从而引起程序运行失常。

另外，即使将栈底位置设置成Flash地址，在访问Flash存储器时也要遵循Flash的写入和读取规则，即先进行擦除操作再进行写入操作，而且每个Flash存储器块只能擦除一次。因此，如果将栈底位置设置成Flash地址，会增加擦除Flash的次数，导致Flash的使用寿命缩短。

因此，不建议将栈底位置设置成Flash地址。在STM32中，可以使用SRAM作为栈底存储器区域，也可以使用另外的存储器作为自定义存储区域，来存放临时数据和变量。