FLASH不够用——非零等待FLASH搬到RAM运行

本文主要实现将FLASH中的代码搬运到RAM运行

我们的CH32V2/3系列MCU有几十K，几百K的非零等待FLASH，遇到FLASH不够用的情况实在可惜。主要以V307举例，针对零等待FLASH不够用的情况。

典型应用：

1.IAP占用了几K空间，搬到RAM后，可以让IAP所占零等待FLASH大幅降低，接近忽略

2.切换功能的代码，不会同时使用的分块的代码，切换的时间几十ms级别

实现思路：

1.将要搬到RAM里的代码在编译阶段用RAM地址编译，原因是code运行的时候，地址是绝对地址

LD文件中修改FLASH和RAM起始地址以及长度

此处需要注意的是RAM的起始地址+长度不能超过实际RAM的大小，否则会进Hardfault，因为堆栈是从RAM最后面往前的

这一步的必要条件是，编译的代码需要能在RAM里放的下，否则的话就需要在零等待的FLASH里放一部分

然后生成bin文件，之后要把bin放到非零等待的地址上，再烧到MCU里

2.编写 从FLASH搬到RAM的代码

这部分代码是放在零等待FLASH的，此处仅实现简单的搬运，没有条件判断等操作，所以选择直接修改启动文件里的handle_reset，不涉及C的部分，LD不需要改

handle_reset:
.option push
.option norelax
　　la gp, __global_pointer$
.option pop
1:
　　la sp, _eusrstack

2:
　　/* 把flash里的代码搬到RAM，这里只搬code，跳转到code后，code的代码会自己搬data*/
　　la a0, 0x08020000/*flash起始地址128K*/
　　la a1, 0x20000000/*RAM起始地址0K*/
　　la a2, 0x20005000/*RAM结束地址20K*/
　　bgeu a1, a2, 2f
1:
　　lw t0, (a0)
　　sw t0, (a1)
　　addi a0, a0, 4
　　addi a1, a1, 4
　　bltu a1, a2, 1b

2:
　　li t0, 0x1f
　　csrw 0xbc0, t0

　　la a0,0x20000000
　　jr 0(a0)/* 跳转到RAM中的起始地址 */

3.烧录

第1步要运行的主体的bin烧录地址是非零等待区0x20000，第2步搬运代码的地址是正常的零等待区地址0x0。合并后一起烧录，即可实现。

总结：

本文实现了最简单的从flash搬运到ram运行，汇编生成的代码大概是120字节，远远小于IAP的几K字节。

如果不用汇编搬运，进入C的世界也是可以的，还可以进行复杂的判断，选择不同功能代码搬运，不过这里要注意的是：进入了C的世界，堆栈会起作用，所以搬运的时候要注意预留搬运时的堆栈的RAM开销。C的世界里跳转  和  IAP跳APP一样，需要用软件中断。

这里的主要思想来源于堆栈的动态内存，利用代码可以在RAM运行，一样可以有动态的代码空间。

当理解了这个过程，地址可以任意的修改，甚至配合零等待FLASH实现更多功能，彻底激活非零等待区域的FLASH空间。

其它注意事项：

1.如果开启了读保护，FLASH前4K自动写保护，所以在用IAP的时候要注意，即使有空间了，也要注意前4KFLASH在读保护使能的情况下是无法擦写的。