这个部分是(二)的仿真部分。仿真电路和仿真结果如下图所示：
Q4、Q5和R8、R9构成一个恒流源，电流为VBE(Q4)/R9。Q2、Q3和R5、R6构成达林顿连接，作为中间级的放大电路，是反相放大，所以在反相输出的位置和输入的位置之间连接了相位补偿电容C4。Q7、Q8和Q9、Q10构成了推挽输出电路。这里相比原电路，输出端省略了一组功率管，省略了过流保护。并且，原本的交流放大改为了直流放大。
这个电路的后级功率方法部分，与uA741很相似。BJT的运算放大器电路，在不基于工艺的情况下，集成电路的原理与分立元件搭建的电路原理是一样的。而MOSFET器件的分立电路与CMOS集成电路的原理，则存在很大的不同。高压和大电流的功率放大电路，通常是使用MOSFET搭建的，MOSFET的VGS的离散性非常大，而栅极的驱动又需要瞬态的大电流，所以其大功率驱动的电路会略微复杂一些。MOSFET的功率放大器通型的较少，因此各种资料不多，后续会逐步学习完善。
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