https://blog.csdn.net/qq_46757048/article/details/126057551
1.ttl transistor-transistor logic
cmos: compelmentary metal-oxide semiconductor transistor
2、晶体管 开启电压 硅管 0.5~0.7v 锗管0.2~0.3v
ttl 输入大于2v认为高，低于0.8认为低 。输出高电平大于2.4，输出低电平低于0.4
3.complementary 的解释：因为cmos里面包含p mos 和n mos
CMOS
输入电压特性： 供电电压：3-18V
低：0.3*VCC 高：0.7*VCC
输出电压特性：
低：0.1*VCC 高：0.9*VCC
常见系列：
74HC高速CMOS、74HCT兼容TTL的高速CMOS、74BCT双极型兼容TTL
（BiCMOS：将场效应管做前级、中间级；三极管做输出级）
4.
CMOS与TTL比较：
①TTL是双极型电流控制器件，CMOS为单极性电压控制器件
②供电电压不一样，TTL常用5V供电，CMOS：5V、3.3V、2.4V、1.8V
③TTL抗干扰能力弱，噪声容限小，主要是因为CMOS逻辑电平范围宽，高电平阈值区间与低电平区间的距离大，抗干扰能力强；但CMOS器件输入阻抗大，容易捕捉干扰，噪声大。但CMOS输出阻抗低，在KΩ范围内；CMOS器件不用的输入引脚必须接地或者固定电平，（即注意静电防护）而TTL器件引脚悬空默认高电平。
④TTL功耗大，CMOS功耗低，静态功耗几乎没有，电平切换才有大电流。
⑤TTL器件工作速度快，传输延时5~10ns；cmos传输延时25~50ns。
相互驱动分析
比较两者输入输出电平，很明显TTL不能直接驱动CMOS器件，而后者可直接驱动前者；所以TTL驱动CMOS需要在外围加上拉电阻，而且TTL的VCC接了电阻，高电平驱动能力很小。
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