相关教材多提及NMOS，这里主要探讨PMOS电流方向的理解记忆。首先理解大信号下的公式：对于NMOS，可以发现ID与电压的参考方向为由D(G)+S-，一致则公式前无需负号。而对于PMOS，不妨将NMOS的推导过程视为一个传函，对于NMOS认为输入为电子，对于PMOS认为输入为空穴，则等效于认为在NMOS

欢迎各位朋友关注“郝旭帅电子设计团队”，本微信公众号会定时更新相关技术类资料、软件等等，希望各位朋友都能在本微信公众号获得一些自己想要的“东西”。          非门原理图中上面是PMOS（控制端带有小圆圈是PMOS，给予低电平导通），下面是NMOS（给予高电平导通）。当A端为

 首先：输出端为带电容那端。采用电容来模拟输出负载的原因：1.MOS的输出后面还会接其他MOS管的栅极，栅极和源、漏之间为直流开路状态。                           2.栅极和源、漏以及沟道之间类似于一个电容的结构。 

NMOS、PMOS和三极管MOS管mos管是一种可以通过电压控制的开关。NMOSnmos结构图：nmos的工作原理是：当gs之间存在正压差时，靠近氧化硅侧就会聚集电子，形成导通。nmos的几大参数：Vgsth（GateThresholdVoltage，栅极阈值电压）：打开nmos需要的gs电压，为正向电压，即g点电势高于s的值。Rdso

很多电子产品中都用电池供电，通过USB充电。当插上USB的时候，如果设备仍然需要工作，我们希望通过USB供电同时切断电池的供电。下面就介绍如何通过一个二极管、一个电阻和一个PMOS管来实现。设计该种电路时的原则：1.USB插入后，由USB供电，电池不供电。2.USB插入后，USB的线路不能直接向

最后修改日期：2023/10/13简介在CMOS模拟版图中，常常用GuardRing将若干个MOS管（一般来说，一个GuradRing内部的MOS管都是同型的，即都是PMOS/NMOS）包围起来，起到保护作用。在芯片layout设计时，在面积允许的情况下要多放置一些GuardRing，以提高芯片的性能。GuardRing在layout中的形式

 一：概述电源的输入接口，为了防止误操作，将电源的正负极接反，对电路造成损坏，一般会进行防护，通常采用的方式如保险丝、二极管、mos管等方式进行防反。二：方式介绍1.保险丝保护描述：很多常见的电子产品，拆开后可以看到电源部分加了保险丝，在电源接反时，电路中短路导致大电流从而熔断

MOS管（三极管）——一些常用的硬件设计电路分析  0.概念PMOS和NMOS的源漏方位相反，NMOS的漏端drain在上面，PMOS的源端source在上面，之所以这么做是借助方位来表明电位的高低。NMOS的漏端drain和PMOS的源端source的电压都比栅端gate电压高，所以这么标注获得一个“visualaid”。电流

一、场景：在嵌入式产品里面，经常遇到电池供电的应用场景，此时需要对pcb板的功耗做控制，以便电池可以待机的更持久。通讯型的板子，关闭mcu片上外设、关闭wifi、bluetooth的供电即可。但对于功率型器件，则需要关闭mos管、场效应管的电源。本文就此做探讨学习。pmos管型号为A1SHB，

在推导之前，先来插入一个不是那么容易想到的事情，我们都非常熟悉NMOS的小信号模型，尤其是拉扎维的这个图：不知道多少人认为这个是NMOS的小信号模型图，其实这个是NMOS/PMOS的小信号模型图，PMOS的模型图应该长这样：其实将拉扎维的图稍微整理一下：对于PMOS：所以分析PMOS的小信号非常简

pmosId-Uds nmosId-Uds  

CMOS门电路TTL是三极管构成的门电路，逐步被CMOS电路替代。CMOS电路能耗低、集成度高。CMOS反相器CMOS管是由PMOS和NMOS组成，这里用的都是使用的增强型。COMS能够正常工

  上一篇文章中，当使用固定的电阻限流时，电流大小受V_Cin和V_CL的差影响，安全上电瞬间的电流是最大的，随后电流按指数曲线逐渐变小。电阻值需要保证安全上电瞬间，最大电流也不

在CMOS设计里，PMOS管和NMOS管同等重要，不过因为一般的电路设计书籍都注重NMOS管的讲解，PMOS都是直接类比NMOS，所以让人不太清楚PMOS的工作原理。1.端口不同PMOS和NMOS的源漏