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深度线性区的MOSFET主要被用于模拟电阻的用途。在深度线性区，MOSFET表现出可调电阻的特性，其电阻值由栅源电压\(V_{gs}\)控制。由于在该区域工作时漏源电压\(V_{ds}\)远小于\(2(V_{gs}-V_{th})\)，MOSFET的漏极电流\(I_{d}\)与\(V_{ds}\)之间近似呈线性关系，因此可以将MOSFET视为一个受

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