应各位读者要求，小编最近按照Innovus流程顺序整理出数字IC后端项目中常用的命令汇总。限于篇幅，这次只更新到powerplan阶段。有了这份Innovus常用命令汇总，学习数字IC后端从此不再迷路！如果大家觉得这个专题还不错，想继续看数字IC后端实现powerplan之后的内容，欢迎在文末留言区留

1特性●防削顶失真功能(Anti-ClippingFunction,ACF)●优异的全带宽EMI抑制性能●免滤波器数字调制，直接驱动扬声器●输出功率1.40W(VDD=3.6V,RL=4Ω,THD+N=10%)2.80W(VDD=5.0V,RL=4Ω,THD+N=10%)4.70W(VDD=6.5V,RL=4Ω,THD+N=10%)●高信噪比SNR:95dB(VDD=6.5V,A

1特性●防削顶失真功能(Anti-ClippingFunction,ACF)●AB类/D类切换●优异的全带宽EMI抑制性能●免滤波器数字调制，直接驱动扬声器●输出功率1.4W(VDD=3.6V,RL=4Ω,THD+N=10%,ClassD)2.8W(VDD=5.0V,RL=4Ω,THD+N=10%,ClassD)4.7W(VDD=6.5V,RL=4Ω,THD+N=1

CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的

SC2569结合了高度集成的电流模式PWM控制IC优化为高性能好，待机功耗低，成本低有效的脱机反激变换器应用。PWM正常工作时的开关频率为外部可编程和修剪到紧的范围内。在空载或轻载情况下，IC操作扩展的“突发模式”以最小化开关损耗。待机功率低，待机功率高这样就实现了转

在LPDDR4之后，引入了LPDDR4x，其IO电压比LPDDR4低45%，从1.1V至0.6V。整体功耗的降低带来了满足信号和电源完整性要求的多重挑战。LPDDR4xDRAM的传统SI问题主要包括串扰噪声、反射噪声和损耗效应。串扰噪声主要来源于紧密间隔的互连信号之间的相互耦合而产生的NEXT和FEXT。弯曲、

SRAM的WriteAssist与ReadAssist简介随着工艺节点的不断提升，诸如阈值电压的偏差，以及供电电压的减小，寄生电阻电容的影响等，都会越来越影响SRAM的稳定性。因此需要通过writeAssist和ReadAssist方法来提升SRAM的写入能力，可读性以及稳定性。具体来说，以一个典型的6TSRAM结构为例：

何为高低电平？高电平电压(highlevelvoltage)，输出的电压值相对较高低电平电压(lowlevelvoltage)，输出的电压值相对较低高低电平的电压具体值是多少需要参考数据手册，举个例子，如下表所示，VDD的典型值是3.3V，根据数据手册可以知道低电平下GPIO输出的最大电压是0.4V；高电平下GPIO输

 二、详细介绍VBAT：备份区供电电压，1.65V≤VBAT≤3.6V。 此引脚主要为以下模块供电：1.    RTC实时时钟2.    外部低速时钟振荡器3.    备份寄存器和备份SRAM 为了在VDD断电后(系统断电，设备断电等)保留备份寄存器的内容，可以将VBAT引脚连接到电池或其他

VCC、VDD、VEE、VSS区别版本一简单说来，可以这样理解：一、解释VCC：C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压；VDD：D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压；VSS：S=series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压；VEE：负电压供电；VPP：编程/擦除电压。二、说明1、对

6.1实验内容通过本实验主要学习以下内容：PMU原理；低功耗的进入以及退出操作；6.2实验原理6.2.1PMU结构原理PMU即电源管理单元，其内部结构下图所示，由该图可知，GD32F303系列MCU具有三个电源域，包括VDD/VDDA电源域、1.2V电源域以及电池备份域，其中，VDD/VDDA域由电源直接供电。在

产品描述AP5193是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流2.5A。AP5193可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5193工作频率可以通过RT外部电阻编程来设定，同时内置抖频电路，可以降低对

产品描述AP5191是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-150V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率150W，最大电流6A。AP5191可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5191工作频率可以通过RT外部电阻编程来设定，同时内置抖频

差动工作方式与单端输出比较优势在于：不易受环境噪声影响，以及高的电源噪声抑制能力如何提高PSRR1.密勒补偿改为cascode补偿。对一般的miller补偿，miller电容在交流下‘短接’，从而使第二级的共源放大管在ac下漏源短接（diode连接），考虑到其偏置电流不变，这样电源上的电压直接耦合到漏端

220V直降9V1A非隔离恒压WT5110WT5110是一款高性能的原边控制器，主要适用于充电器和适配器的制造，其能够提供高精度的输出性能。该芯片具备多种工作模式，包括调幅控制和调频控制，这有助于提高系统的效率和可靠性。在恒流输出模式下，WT5110采用调频控制方式，并且集成了线电压和负载电

这份文件是德州仪器（TexasInstruments）关于TPS380x系列超小型供电电压监控器的产品数据手册。以下是文件的核心内容概要：产品系列：TPS380x系列包括TPS3800-xx、TPS3801-xx和TPS3802-xx，这些是用于电路初始化和定时监督的监控电路，主要针对DSP和其他基于时间的处理器系统。主

 首先：输出端为带电容那端。采用电容来模拟输出负载的原因：1.MOS的输出后面还会接其他MOS管的栅极，栅极和源、漏之间为直流开路状态。                           2.栅极和源、漏以及沟道之间类似于一个电容的结构。 

一、产品概述PR6214是一款应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器的高性能离线式功率开关转换器。PR6214采用PFM工作模式，使用原边反馈架构，无需次级反馈电路，因此省去了光耦和431，应用电路简单，降低了系统的成本和体积，提高了可靠性。芯片内置了高达±5%精度的恒流/恒压（CC/CV）控制电路，输出

一、基本概述TX6410是一种带PWM调光功能的线性降压LED恒流驱动器，仅需外接一个电阻就可以构成一个完整的LED恒流驱动电路，调节该外接电阻可调节输出电流，输出电流范围为10~2000mA。内置30V50毫欧MOS。内置过热保护功能，可有效保护芯片，避免因过热而造成损坏。具有很低的静态

基本概述今天给大家介绍的一款芯片是OVP，相比于传统的OVP芯片来说，这款芯片新增了数字信号控制，通过外部的GPIO口进行控制，达到输入与输出信号的产生。YHM2009这款OVP芯片具有较低的导通电阻（23mΩ），输入电压超过过电压阈值将导致内部MOSFET关闭，防止过多电压损坏下游设备。典型应用电路过

AP5193是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流2.5A。AP5193可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5193工作频率可以通过RT外部电阻编程来设定，同时内置抖频电路，可以降低对其他设备的E

AP5191是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-150V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率150W，最大电流6A。AP5191可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5191工作频率可以通过RT外部电阻编程来设定，同时内置抖频电路，可以降

在《PCB设计丨电源设计的重要性》一文中，已经介绍了电源设计的总体要求，以及不同电路的相关布局布线等知识点，那么本篇内容，小编将以RK3588为例，为大家详细介绍其他支线电源的PCB设计。 电源PCB设计 01如下图（上）所示的滤波电容，原理图上靠近RK3588的VDD_CPU_BIG电源管脚绿线以内的

一、原理图和元器件1.芯片引脚Vdd和VssVdd=VoltageDrain-DrainVss=VoltageSource-Source{width:20pxheight:20px}

深圳市三佛科技有限公司分析KP311AWP非隔离5V100mA开关电源芯片 高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流