RRAM流片调试心得去年进行了一次RRAM的流片工作，也是人生第一次流片，一些工作细节不便涉及，但是可以谈谈这次流片以及后续测试中碰到的问题，以便后续查阅。芯片于UMC完成180nm的CMOS前道工艺，共生长5层金属（到V5），随后出Fab，送到所里生长RRAM和M6完成后道工艺，版图需要遵守工艺需求，另外需