编辑-ZMUR20100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款共阴极快恢复对管。MUR20100DC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR20100DC采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR20100DC的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压

编辑-ZMUR20100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款共阴极快恢复对管。MUR20100DC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR20100DC采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR20100DC的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐

编辑：llMUR20100DC-ASEMI贴片TO-263封装快恢复二极管MUR20100DC型号：MUR20100DC品牌：ASEMI封装：TO-263正向电流：20A反向电压：1000V引脚数量：3恢复时间：35ns正向压降：1.8V类型：快恢复二极管特性：超快恢复二极管、贴片二极管、共阴极二极管工作温度：-50°C~150°C封装尺寸：如图MUR2