编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数：型号：IXFK32N100P漏极-源极电压（VDS）：1000V连续漏电流（ID）：32A功耗（PD）：960W工作结温度（TJ）：-55to+150℃零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA漏极源导通

编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数：型号：IXFK32N100P漏极-源极电压（VDS）：1000V连续漏电流（ID）：32A功耗（PD）：960W工作结温度（TJ）：-55to+150℃零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA

编辑：llASEMI代理IXFK32N100P、IXYS/艾赛斯车规级MOS管型号：IXFK32N100P品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-264最大漏源电流：32A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：320mΩ引脚数量：3特性：