IR2106

2022-09-28EG3033，3NMOS+3PMOS三相半桥驱动芯片
1. 特性  三相 P/NMOS 管栅极驱动  电源电压输入范围：6V-36V  适应 3V-30V 输入电压  具有 VCC 欠压保护  内置 5V/50mA 输出 LDO  内建死区控制电路
2022-09-28EG44273替代IRS44273，20V低侧单路驱动芯片
1. 特性  VCC 电压范围 4V-20V  输出电流能力 IO+/-2A/2A  输入输出延时短  当输入引脚悬空时，输出保持在低电平  外围器件少  静态电流小于 1uA，非常适合
2022-09-28EG2124A替代FD6288、PT5619，260V0.8A三相立半桥驱动芯片
1. 特性  悬浮自举电源设计，耐压可达 260V  集成三路立半桥驱动  适应 5V、3.3V 输入电压  高频率支持 500KHZ  低端 VCC 电压范围 4.5V-20V  输出电流
2022-09-28EG27517替代UCC27517、FAN3100，20V低侧单路驱动芯片
1. 特性  低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的替代产品  VDD 电压范围 4V-20V  输出电流能力 IO+/-4A/4A  输入输出延时短  当输入引脚
2022-09-28EG27519替代UCC27519，20V低侧单路驱动芯片
1. 特性  低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的替代产品  VDD 电压范围 4V-20V  输出电流能力 IO+/-4A/4A  输入输出延时短  带有 EN