编辑-Z单向可控硅BT169D参数：型号：BT169D断态重复峰值电压VDRM：600V平均通电电流IT(AV)：0.6AR.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A通态浪涌电流ITSM：10A平均栅极功耗PG(AV)：0.1W峰值门功率耗散PGM：0.5W工作接点温度Tj：-40~110℃储存温度TSTG：-40~150℃断态重复峰值电流IDRM：≤5uA重复峰值反

编辑-Z单向可控硅BT169D参数：型号：BT169D断态重复峰值电压VDRM：600V平均通电电流IT(AV)：0.6AR.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A通态浪涌电流ITSM：10A平均栅极功耗PG(AV)：0.1W峰值门功率耗散PGM：0.5W工作接点温度Tj：-40~110℃储存温度TSTG：-40~150℃断态重复峰值电流IDRM：≤5uA重复峰值反向电流IRRM：≤5

编辑：llBT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格型号：BT169D品牌：ASEMI封装：TO-92正向电流：0.8A反向电压：600V引脚数量：3芯片个数：1芯片尺寸：漏电流：>10ua恢复时间：浪涌电流：30A包装方式：盘装封装尺寸：如图特性：单向可控硅工作结温：-40℃~125℃BT169D的电性参数：正向电流0.8