编辑：llASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S型号：ASE8N65S品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：8A漏源击穿电压：650V批号：最新RDS（ON）Max：1.25Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~15