• 2023-12-18APT80DQ60BG-ASEMI大电流二极管APT80DQ60BG
    编辑:llAPT80DQ60BG-ASEMI大电流二极管APT80DQ60BG型号:APT80DQ60BG品牌:ASEMI封装:TO-247特性:插件、快恢复二极管最大平均正向电流:80A最大重复峰值反向电压:600V恢复时间:50ns引脚数量:3芯片个数:2最大正向压降:1.05V~1.80V芯片尺寸:6.2mm*4mm浪涌电流:600A漏电流:10ua工作温
  • 2023-08-26ASEMI快恢复二极管APT80DQ60BG特点应用
    编辑-ZAPT80DQ60BG参数描述:型号:APT80DQ60BG最大峰值反向电压(VRRM):600V最大直流阻断电压VR(DC):600V平均整流正向电流(IF):80A非重复峰值浪涌电流(IFSM):600A工作接点温度和储存温度(TJ,Tstg):-55to+150℃最大热阻(RθJC):0.8℃/W正向电压(VF):1.3V最大瞬时反向电流(IR):10uA最大反向恢
  • 2023-08-26ASEMI快恢复二极管APT80DQ60BG特点应用
    编辑-ZAPT80DQ60BG参数描述:型号:APT80DQ60BG最大峰值反向电压(VRRM):600V最大直流阻断电压VR(DC):600V平均整流正向电流(IF):80A非重复峰值浪涌电流(IFSM):600A工作接点温度和储存温度(TJ,Tstg):-55to+150℃最大热阻(RθJC):0.8℃/W正向电压(VF):1.3V最大瞬时反向电流(IR):10u
  • 2023-08-25APT80DQ60BG-ASEMI新能源功率器件APT80DQ60BG
    编辑:llAPT80DQ60BG-ASEMI新能源功率器件APT80DQ60BG型号:APT80DQ60BG品牌:ASEMI芯片个数:2封装:TO-3P恢复时间:>50ns工作温度:-55°C~150°C浪涌电流:600A正向电流:80A反向耐压:200V正向压降:1.30V引脚数量:3APT80DQ60BG特性:ASEMI品牌APT80DQ60BG是采用工艺芯片,该芯片具有良好的
  • 2023-08-09APT80DQ60BG-ASEMI快恢复二极管APT80DQ60BG
    编辑:llAPT80DQ60BG-ASEMI快恢复二极管APT80DQ60BG型号:APT80DQ60BG品牌:ASEMI芯片个数:双芯片封装:TO-3P恢复时间:≤80ns工作温度:-55°C~150°C浪涌电流:600A正向电流:80A反向耐压:600V正向压降:1.30V~1.70V引脚数量:3APT80DQ60BG特性:ASEMI品牌APT80DQ60BG是采用工艺芯片,该芯