2024-08-20A 4nm 6163-TOPS/W/b 4790-TOPS/mm2/b SRAM Based Digital-Computing-in-Memory Macro Supporting Bit-WidtSRAMarray和Localadder耦合在一起形成一个块,两个块share一个semi-global-adder,四个块再去shareGlobaladder和移位累加器。这样的floorplan使得整体结构上不存在一大块独立的巨型多级加法树,使得布局变得更加的规整。这里讨论了mix-Vt设计的问题,即混用高Vt管子和低Vt管子,高Vt