• 2024-07-01三极管的作用和原理
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  • 2024-01-06D13005M-ASEMI高频电源开关D13005M
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  • 2023-02-18ASEMI代理FGH60N60SFD,安森美FGH60N60SFD原装IGBT
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  • 2023-02-17ASEMI代理FGH60N60SMD安森美ON原装原厂IGBT
    编辑-Z安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数:型号:FGH60N60SMD集电极到发射极电压(VCES):600V栅极到发射极电压(VGES):±20V收集器电流(IC):120A脉冲二极管最大正向电流(IFM):180A最大功耗(PD):600W
  • 2023-02-13 ASEMI代理FGH60N60,安森美FGH60N60车规级IGBT
    编辑-Z安森美FGH60N60车规级IGBT参数:型号:FGH60N60集电极到发射极电压(VCES):600V栅极到发射极电压(VGES):±20V收集器电流(IC):120A二极管正向电流(IF):60A最大功耗(PD):600W工作结温度(TJ):−
  • 2023-01-11电子设计教程17:从共射极放大电路到射极跟随电路
    共射极放大电路板的输出阻抗  在上一节,提到过共射极放大电路的输出阻抗是R2(更通用的写法可能是Rc)。推导这个结论的过程较复杂,会用到等效电路法,并用诺顿定理将放大电路的
  • 2023-01-06§2 偏置
    所谓偏置(bias)是指在被放大信号输入处(共射极在基极-发射极之间)预先施加一定的直流电压,或者使其有一定的直流电流通过。 作为变化中心的VBB大小就称做静态工作点,也
  • 2022-11-1406基础元器件-三极管
    一、三极管的定义与分类1、定义导体三极管又称为双极结型晶体管(BJT),是一种具有三个电极的装置。实质上就一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区,从而
  • 2022-09-04三极管(NPN)的性质
     几个状态1.截止当发射极、集电极反偏(VB<VE,VB<VC)或者VBE<0.7V,CE不导通(即VCE=0V),电流没有从C流到E,相当于CE断路2.饱和当发射极、集电极正偏(VB>VE,VB>