VD1012内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置MOSFET，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护I℃。
本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
特点
VD1012具备如下特点： 高精度电压检测电路 过充电检测电压 4.30V 精度±50mV 过充电释放电压 4.15V 精度±70mV 过放电检测电压 2.80V 精度±100mV 过放电释放电压 3.00V 精度±100mV 各延迟时间由内部电路设置 过充电检测延迟时间 典型值100ms 过放电检测延迟时间 典型值100ms 放电过流检测延迟时间低耗电流 典型值20ms 工作模式 典型值1.5μA，（VDD=3.5V） 过放电模式 典型值0.5μA，（VDD=2.0V） 允许向0V电池充电 宽工作温度范围：-40℃~+85℃ 小型封装：SOT-353
标签：电压,检测,放电,延迟时间,充电电池,典型值,充电,IC,单节
From： https://blog.csdn.net/VDAN1000/article/details/144979674