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尽显风骚~一文读懂FD-SOI(附高通电源包络芯片QET7100)

时间:2024-09-26 13:18:48浏览次数:9  
标签:28nm SOI FD 沟道效应 工艺 QET7100 CMOS

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平台君今天要和大家说的是FD-SOI(全称:Fully Depleted Silicon-On-Insulator,全耗尽型绝缘体上硅)。同样是CMOS工艺进入28nm以下所提出的解决方案,与FinFET工艺相比FD-SOI工艺确显暗淡不少。但是怎么说呢,呃……平台君一直觉得FD-SOI自有它的光芒,人家低调并不代表人家没实力。

01 28nm以下工艺节点传统CMOS结构的缺陷

CMOS结构在半导体行业一直混的风生水起,有着举足轻重的地位。但是在工艺制程迈进28nm以下节点时,CMOS结构的短板就显现出来了,这其中短沟道效应和漏电问题是CMOS结构面临的主要技术挑战。

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传统CMOS工艺的结构示意图

短沟道效应

短沟道效应指的是当晶体管沟道长度缩小到纳米级别时,源极和漏极之间的水平电场对沟道的影响增大,导致晶体管性能不稳定。随着CMOS工艺尺寸的不断缩小,尤其是在进入28nm以下节点时,短沟道效应变得不可控制。传统的平面晶体管结构无法支撑进一步的微缩。

漏电流问题

传统CMOS工艺在进入28nm以下节

标签:28nm,SOI,FD,沟道效应,工艺,QET7100,CMOS
From: https://blog.csdn.net/weixin_47195091/article/details/142553431

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