平台君今天要和大家说的是FD-SOI（全称：Fully Depleted Silicon-On-Insulator，全耗尽型绝缘体上硅）。同样是CMOS工艺进入28nm以下所提出的解决方案，与FinFET工艺相比FD-SOI工艺确显暗淡不少。但是怎么说呢，呃……平台君一直觉得FD-SOI自有它的光芒，人家低调并不代表人家没实力。
01 28nm以下工艺节点传统CMOS结构的缺陷
CMOS结构在半导体行业一直混的风生水起，有着举足轻重的地位。但是在工艺制程迈进28nm以下节点时，CMOS结构的短板就显现出来了，这其中短沟道效应和漏电问题是CMOS结构面临的主要技术挑战。
传统CMOS工艺的结构示意图
短沟道效应
短沟道效应指的是当晶体管沟道长度缩小到纳米级别时，源极和漏极之间的水平电场对沟道的影响增大，导致晶体管性能不稳定。随着CMOS工艺尺寸的不断缩小，尤其是在进入28nm以下节点时，短沟道效应变得不可控制。传统的平面晶体管结构无法支撑进一步的微缩。
漏电流问题
传统CMOS工艺在进入28nm以下节
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