像下面这种点亮LED的电路十分简单。然而对于初学者来说，可能仍有许多细节不甚清楚。许多电路需要根据经验设计，而初学者没有经验。例如，各种三极管b-e之间导通压降一律取0.7V真的没问题吗？限流电阻R1、R2要大，到底是多大？c-e之间的电压降是多少？LED工作在什么样的环境下？b-e间到底要不要加其它阻容元件？
本文致力于清楚说明这些问题，将先介绍双极结型三极管（以下简称为BJT或三极管、“管子”）的工作原理，尤其关注它的输入、输出特性；随后一步步选取实际元件搭起这个电路，并指出一些细节问题。
由于笔者能力有限，本文略长，还请耐心。推荐csdn网页端阅读。
一、BJT的电流分配
1.1 结构
下面是一些BJT的外观。功率越大（能通过的电流越大），为了增大散热面积，尺寸会越大。图片展示的三极管功率从几百毫瓦到数百瓦不等。最右边的金属壳封装在过去流行，如今中间的塑料模压封装表现更好，更常见。
BJT和MOSFET都可以作为开关使用。MOSFET和BJT长得很像，它们的区别可以参考下面的链接。MOSFET比起BJT有着诸多优点，目前有取代的趋势；在低功耗时，二者差异不大，BJT略便宜些。BJT随处可见，很适合作为放大器、振荡器、恒流电路开关，在MOSFET的冲击下仍具有生命力。一文搞懂MOSFET和BJT的18点区别_华秋华哥
https://baijiahao.baidu.com/s?id=1734241866055821973&wfr=spider&for=pc
双极结型三极管分为NPN和PNP型，均包含三个区：发射区、基区、集电区，并引出三个电极：发射极e(emitter)、基极b(base)、集电极c(collector)。两个区之间形成一个P-N结，如图1.1所示。从制造上来看有这些特点：
- 发射区高掺杂，即发射区载流子(电子或空穴)浓度很高。
- 基区很薄(微米级)，低掺杂。
- 集电区与基区接触面积大，正常掺杂。
纯硅在室温下导电性能不强。掺杂是指往4价硅晶体中掺入5价或3价的元素，这些“卧底”混入其中与硅形成共价键结合时，会多一个电子或缺一个电子（多出一个空穴）。掺杂5价元素的是N半导体，含有更多的自由电子；掺3价的是P半导体，有许多位置急需被电子填补。“高掺杂”指掺杂元素的含量高。
电流分配是三极管的重要特征，三极管的电流是载流子在三个区之间移动形成的。图1.1最右侧的图片是外加电源使b-e发射结正偏，b-c集电结反偏的情况，这种工作状态很重要，需要熟悉。此时集电极电位最高，基极次之，发射极最低，而且两个电源的负极和发射极连在一起，作为参考平面（地）。b-e之间有电流流过，因为它们之间的P-N结正偏；而跨过集电结的电流，是由电子扩散形成的。
1.2 初步认识各极电流大小
本节内容说明BJT有哪些电流需要注意，对这些电流的大小有初步概念。
发射极电流：电流大。
基极电流：相比发射极和集电极电流而言，基极电流较小。基极电流分为两个部分，一是发射结正偏流出基极的部分，另一个是集电结反偏流入基极的部分——因为c极电位更高。前一个占绝大部分，后一个称反向饱和电流Icbo，下面还会提到。
集电极电流：与发射极电流接近，差值是基极电流。
如图1.2(a)展示了合科泰S8050NPN三极管的输出特性曲线，关注电流数量级大小即可。基极电流均是几十到数百微安级别，远小于Ic的毫安级。在规格书中能找到的最大值是50mA，见图1.3中倒数第二、三行最后一栏中的测试条件。安森美KSC5027的规格书中则明确Ib最大1.5A，但工作在放大区时是毫安级别，远小于Ic的安级。因此工程上经常认为，集电极电流 = 发射极电流，即，其中有基极电流的误差。贴出售卖链接，页面下方可以找到技术规格书：
合科泰S8050https://item.szlcsc.com/192555.html?fromZone=s
安森美KSC5027https://item.szlcsc.com/965011.html?fromZone=s
还有几个不那么重要的电流参数，它们表示，就算P-N结在反偏时，也不可能完全绝缘，会有电流流过。：给c-b两极（c极高电位）加上电压、发射极开路时流过的电流，此时集电结反偏。类似地，将基极开路，外部电源加在c-e（c极高电位）也会产生电流，称作
，此时集电结反偏；将集电极开路则是
，此时发射结反偏。这三个漂移电流易受温度影响，但它们也不会大到哪儿去。还是上面的S8050，下图1.3可看出，这些电流比基极电流还要小几个数量级，常常忽略，只有在严格控制待机功耗时才会关注。
这些电流称作反向饱和电流。像图1.1右图那样，当b-e正偏，b-c反偏时，基极电流 = 流向发射极的电流 - 来自集电极的Icbo。因为太小常常忽略。
漂移电流是指载流子在电场的作用下运动形成的电流，扩散电流则是指载流子作热运动扩散时形成的电流。
1.3 BJT的“放大”
本节说明BJT工作的过程。
为什么三极管能放大电流？能量还守恒吗？问题需要从微观层面解释，“放大”的描述很有迷惑性，让人联想到拿放大镜看东西，要观察的东西被放大了。而实际上输入的Ib没有变大，它只起了带动作用。
假设给NPN型管的b-e间加正偏电压，c-e用导线连接形成回路。在b-e正偏电压下，发射区电子闻风而动，被电场推着漂移进基区，发射区掺杂度越高，b-e正偏电压越高，这个漂移电流(Ie)越大。如果基区很厚而且有很多空穴，那大部分电子都可以按部就班地与这些空穴复合、从基极流出去(Ib)，基极电流会很大。然而基区情况相反，大部分电子进入基区时发现没有“停车位”迟迟落不住脚，还不断有新的电子涌入，这些挤在一起的电子很快扩散到集电区——基区越薄，集电区与基区接触的面积越大，这个扩散电流(Ic)就越大（当然，扩散也与浓度、温度有关，但这里不是主要原因）。但是，由于此时b-c间也是正偏，电场会阻碍电子继续向集电极运动。如果将c-e间的导线换成能使b-c反偏的电源，就像图1.1那样，电子将由受电场阻碍的热扩散转为受电场推动的漂移运动，Ic将迅速增大。
对于同一个三极管来说，它的内部结构在制造出来时就已经确定了，当加在c-e上的电压固定后，三极管就是受b-e电压控制的电流源，Ube为输入，Ic为输出。所以三极管的经典用法是发射结正偏，集电结反偏，负载串联在b-e所在回路，获得大电流并能被控制。在下一章分析输入特性时会解释，为什么实际设计时，输入不是去调整Ube而是盯住Ib，从而衍生出“放大”的说法。
为帮助理解，贴一个b站视频的链接，里面有相关动画过程：终于有人讲了，凭什么三极管能放大?_华秋商城_哔哩哔哩https://www.bilibili.com/video/BV1fB4y147Gn/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click
实验测试表明，当三极管工作在放大区时，Ic和Ib能按照一定比例变化，共射极接法时用共射直流电流放大系数——β描述这个比例，理论推导可以移步杨素行《模拟电子技术基础简明教程第三版》（下简称《模电》）13页。笔者认为大致了解即可，不用过于抠细节，因为实际器件不是算出来的。计算只能起到总结规律的作用，我们需要在实验测量和应用中掌握它。上面的分析表明，β与发射区掺杂度、b-c结面积密切相关。β在技术规格书中记作，其中的E指common emitter共发射极，全称“共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数”，见图1.3的DC current gain（直流电流增益，或称直流放大倍数）一栏。需注意hFE并不是一个恒定不变的参数，它会随着温度、Ic、信号频率的变化而变化，在电路设计时要小心。
二、BJT的特性曲线
BJT的输入、输出特性曲线可以较全面地描述各极间电压与电流的关系，是它的“个人简历”。
2.1 输入特性
本节通过BJT的输入特性，描述文章开头LED电路工作时，b-e间的情况。
三极管的输入特性指，当c-e电压不变时，Ib和b-e间电压的关系，可理解为b-e间的伏安特性。
各家给出的输入特性曲线大同小异。如下图2.1是某NPN硅管的输入特性。详细了解特性曲线可移步《模电》14页，书本从微观角度简单说明了：1)为什么Uce = 0时的曲线就是二极管的特性曲线。2)为什么随着Uce的增大，曲线会右移。3)为什么曲线的这种右移会变得越来越“艰难”，以至于在Uce大于某一值时，几乎完全重叠在一起。图中可以看到：
1、当Ube在0.6-0.7V范围时（尤其Uce=0时），即使Ib大范围变化，Ube也稳如老狗地呆在这个区间中。
2、当Ube大于某个值（图中约为0.5V）时，基极电流迅速增大。然而基区很薄，基极电流Ib的大小必须控制在允许值以内，否则将导致管子损坏。当基极电流很小时，从基极看进去的输入电阻很大。比如，当Vce = 0，Vbe = 0.6V时，Ib约为50μA，此时可以看成一个约为0.6V / 50μA = 12kΩ的电阻。
3、b-e间是一个P-N结。不同管子的输入特性不同，但大体规律相同。
回到文章最开头的单片机点亮LED电路，假设三极管的输入特性是图2.1中Vce = 0.3V的那条曲线。如果不加限流电阻R2，那Ube = 3.3V，曲线会飙上天去，大电流损坏单片机和三极管。如果加一个小电阻R2 = 10Ω，曲线往上飙时，逐渐增大的电流会在R2上产生压降，这个压降不可能超过3.3V使基极电位变成负数。这样电流就被限制住了，退一万步说，回路中的电流不会超过0.33A。当然电流肯定达不到这么大，Ube会分压。也许能隐约感觉到，电阻还不够大，Ube分的电压肯定要比0.7V大不少，最后结果还是坏掉。所以合适的限流电阻R2很有必要。如果把R2加在了发射极，b-e限流的效果是相同的。但若c-e间有电流，也会受到限制，往往不希望这样，因为负载接在其中；除非负载需要的电流真的只有基极电流大小，而且对电压有要求，GPIO的3.3V不够用。
假设想要Ib = 100μA，由2.1的特性曲线，目测Ube实际上在0.66V左右，限流电阻要达到千欧级别。如果按0.7V来算，差了0.04V。要知道单片机I/O口的电压也不是准确的3.3V，相比起来，这个误差并不大。正是因为正常工作时b-e间电压的稳定，才近似将它看成0.7V。不过，基极电流仍可能会有较大偏移，比如曲线上看0.7V时，基极电流偏大到了180μA左右（类似地，也有可能偏小）。所以在设计使管子饱和的基极电流时，会留出偏移的裕量。如果Ib = 100μA时管子饱和，将其翻倍，按Ib = 200μA来选择限流电阻R2。这种手法在下面的实例中还会看到。
实际上BJT的基极电流比较复杂。如果对《模电》14页关于输入特性的解释仍不满意，推荐文献：
[1]张治国.双极型晶体管输入特性曲线解释补略[J].大学物理,1996,15(09):42-43.
本文短小精悍。介绍了基极电流组成；b-e正偏时，c-e用导线直连（Uce = 0）和加电源使集电结反偏（Uce ≥ 1V）时基极电流的变化；以及在此基础上说明为什么输入特性会随Uce增大右移。
2.2 输出特性
本节介绍BJT的三个工作区及特点，说明文章开头的LED电路里的三极管为什么要工作在饱和区、如何饱和。
三极管的输出特性是指，当基极电流不变时，Ic和Uce之间的关系，可以理解为固定b-e电流时，c-e两端的伏安特性。前面的图1.2就是两个实际元件的输出特性曲线。初看输出特性时可能有些别扭，由于认为Ib是输入、Ic是输出，我们需要抓住这俩的关系，而不是坐标轴上的Uce和Ic。
为方便，用图2.4分析。有五条曲线，对应不同的基极电流；三个区域——饱和区、放大区、截止区。三极管正常工作时，总能在其中一个区域找到它的位置。
首先看看截止区，它说明三极管得有Ib，才能得到想要的的Ic，否则只有穿透电流Iceo。
再看看范围宽广的放大区。假设现在一个三极管，已经有了Ib，Uce也蛮大的，工作在放大区。在放大区，Ic的大小几乎不随Uce变化，只与Ib有关——这呼应了1.3节的结论，某些时候，Ic和Ib确实存在比例关系。可看出图2.4中管子的hFE为50左右：Ib为20μA时，Ic约1mA；40μA时，Ic约2mA······
在饱和区，这种比例关系不再存在。饱和区简直是另一个世界，不管三极管工作在放大区时Ib是多少，当Uce下降到一定程度时，Ic统统骤降——毕竟，这本质上是c-e的伏安特性，电压没有了，电流自然会消失。
如图2.5电路，从Ib是否变化的角度分析Ic变化情况，看看三极管是如何从放大走向饱和的。
Ib不变，R增大：假设三极管最开始工作在放大区。电阻R遵从欧姆定律，上面的电压降落逐渐增大，集电极电位不断降低。根据输出特性，最开始Ic几乎没有变化，与Ib保持着比例关系。当集电极c的电位下降到一定程度时，c-e间建立的电场，终于无力维持先前工作在放大区时载流子的运动，Ic随R的增大剧烈下降，来到饱和区。此时如果R作相反的变化，三极管会从饱和区又回到放大区。
Ib增大，R不变：假设三极管最开始工作在放大区。Ic跟随Ib增大，R的压降逐渐增大，导致集电极电位降低，结果一样，最终来到饱和区。到达饱和区后，Uce的下降对Ic的减益和Ib的增加对Ic的增益互相抵消，Ic变为恒定值，Ib失去对Ic的控制。此时如果Ib作相反的变化，三极管会从饱和区又回到放大区。
当三极管工作在饱和区时，Ic变得恒定、足够且不随Ib变化；当Ib减小到0，三极管工作在截止区时，Ic变为穿透电流，几乎为0。这不就是开关吗，Ib是闸刀，b、e是接线端子。
从输出特性可以看到，当三极管以饱和状态工作时，c-e间电压降很小，甚至可以将它们看作用导线直连在一起，故有饱和导通一说。另外，不仅是因为放大区的Ic不稳定，只看c-e的话，根据功率定义P = UI，三极管工作在放大区时的功率比饱和区大得多，即使在饱和区，也是越饱和功率越低。因此当把三极管作为开关使用时，应使其工作在饱和区，而且充分饱和，一来降低功耗，二来不让它轻易回到放大区。
根据上面的分析，充分饱和有两种方法：增大R或Ib。然而增大R会限制Ic，Ic是提供给负载的电流；或者R本身就是负载，不能变动。所以一般会设法增大Ib。2.1结尾处翻倍Ib留出偏移裕量的做法即是如此——大的Ib更容易饱和，能允许更多误差。
文章开头的LED电路里（或见下面的图3.3），在三极管关断时，c-e电压就是5V吗？LED用小帽子形状的直插发光二级管时，阳极的电压测得是稳稳的5V，与集电极相连的阴极却比阳极低了约1.2V（它的导通压降约1.8V）——因为二极管是非线性元件，这说明，有些型号的二极管，即使在通过微安级别很小的电流时，也能产生不可忽略的压降。技术规格书上的这段曲线基本上看不出什么信息，如图3.5右侧图片，从0开始到约1.7V很长一段曲线，电流似乎都是0——实际上并不是，而是很小很小。
三、BJT的使用
3.1 要关注的数据
在实际应用时，需要关注管子的极限参数和一些特性曲线。
3.1.1 极限参数
如图3.1是一款三极管的极限参数。从上到下依次展示了它c-b间能施加的最大反向电压、c-e间能施加的最大反向电压、e-b间能施加的最大反向电压、最大集电极电流Ic、最大允许耗散功率、结到空气的热阻系数、最大结温、存储温度。前面四个参数很好理解。最大允许耗散功率是指器件的工作功率不能过大，即Uce与Ic的乘积不能超过这个值，否则器件温度将过高，严重影响性能甚至损坏。详细了解最大耗散功率请移步《模电》18页。见图3.2输出特性曲线，规格书中的Vceo对应过压区界线，Ic对应过流区界线，Pc对应过损耗区界线。这三个边界与横轴围成的区域是安全工作区。
如果器件应用在恶劣环境，就要关注温度参数，这里贴上哈哈哈士奇的博客《芯片热阻系数学习 芯片温度》作为参考：
芯片热阻系数学习 芯片温度https://blog.csdn.net/m0_37571330/article/details/90454100
3.1.2 特性曲线
特性曲线直观易懂，具体的模样可以在技术规格书里找到。这里介绍一些英文的含义。
- DC current gain
：直流电流增益 ，或称直流放大倍数，表示Ic与Ib之间的比例关系。
- Collector-Emitter Saturation Voltage
：c-e极饱和状态下的压降。下标中的“(sat)”指saturation [ˌsætʃəˈreɪʃn] n.饱和；饱和状态
- Base-Emitter Saturation Voltage
：b-e极在饱和状态下压降。
- Transition Frequency
：截止频率，BJT从放大状态转变为截止状态的信号频率点。这个参数在设计管子工作在放大区时会用到。
3.2 电路实例
3.2.1 NPN型BJT的开关用法
三极管“要么饱和导通，要么截止关断”的开关工作方式在数字电路中常见。它工作在饱和区还是截止区，输入的基极电流是关键。
如图3.3是一个单片机驱动BJT点亮LED灯电路。由于单片机IO口驱动能力十分有限，一般不用它直接驱动LED。图3.4是STM32F103C8T6单片机IO口电流的Absolute maximum ratings（绝对最大额定参数，即极限参数），相关参数不应超过这个值。可看到单个IO口的输出电流不能超过25mA，且全部的IO口加起来不能超过150mA。ESP32系列芯片单口输出最大40mA，全部IO输出最大1.1A，要强一些。图3.5展示了某款贴片LED的工作特性，这款LED如果直接用单片机驱动，电流会超出允许值，器件很可能损坏。贴片LED的工作电流一般在1mA-20mA，用I/O直接驱动，实在奢侈，相比之下，用BJT驱动时，仅消耗微安大小的基极电流。
现假设Q1使用图1.2(a)中的S8050；LED1使用上图3.5中的贴片发光二极管，不考虑环境温度，让灯发出1流明的光线，那么它的工作电流是20mA，电压降2.3V。需要设置R1、R2。
由1.2(a)中S8050的输出特性能看到，当三极管饱和导通、Ic = 20mA时，Ib > 100μA即可保证工作在饱和区。无论Ib多大，c-e间的压降都非常小，而且基极电流越大，压降越小。从输出特性曲线目测不到0.1V，从Vce(sat) - Ic曲线来参考为20mV(见图3.6左)。因此计算R1时，c-e间压降忽略不计。当然，如果管子的功率更大，c-e间的压降也可能会更大，比如1.2(b)中的安森美KSC5027，在Ib = 60mA、Ic = 0.8A时，处于刚刚饱和的状态，c-e间压降达0.5v左右。
R1 = (Vcc - LED在20mA电流下的压降 - Vce(sat)) / 电流 = (5 - 2.3 - 0)V / 0.02A =135Ω
商店里只能找到130Ω的电阻，选取之。从1.2(a)中可以看到，Ib = 100μA就可以让BJT饱和，为了使其充分饱和、留出裕量，使用翻倍Ib的经验方法控制R2使Ib = 200μA。更大一些也可以，不过会稍稍增加单片机I/O口的负担。Vbe的饱和导通电压可以根据经验取值0.6-0.8V，也可以参考规格书中的曲线(见图3.6右)，目测接近0.7V。
并不是所有阻值的电阻都能买到。5%和1%不同精度的电阻，能买到的阻值范围也不同。
R2 = (I/O口高电平 - Vbe(sat)) / Ib = (3.3 - 0.7)V / 200μA = 13kΩ
也有简便但不那么精确的经验公式：Ib > Ic / hFE 。由于hFE是一个根据条件变化的值，查阅参数后，只能根据经验选取。如此例中的S8050器件，规格书中给出的hFE是120到400，而且有附加条件(Vce = 1V，Ic = 50mA)。随便取一个中间比较平均的数值，比如中位数260。根据公式，Ib需大于77μA，再取Vbe = 0.7V计算R2最大为33.8kΩ。实际上，根据特性曲线，此时的Ib太小，并不能使三极管饱和。如果采用翻倍法，哪怕非常极端地取了最大的hFE值（这里是400），最后得到Ib为100μA，根据曲线，器件也是可以工作在饱和区的。可见，使计算出的Ib翻倍的手法很有必要，甚至有时觉得翻一倍还不够稳妥。它可以解决0.7V误差、解决hFE误差、使三极管更加饱和。
3.2.2 PNP型BJT的开关用法
PNP型BJT与NPN型工作原理相同，只是构造不同，导致电流流向不同，仅此而已。如图3.7所示，对比图1.3.4中NPN型管的电流，PNP型管的电流是由发射级流入高掺杂的发射区，经过P-N结流入基区，再从基级流出，形成基极电流，这个基极电流撬动更大的电流从发射级流入、集电极流出。当然，就像NPN型管一样，两两极之间会有很小的穿透电流；b-e之间可以看作一个二极管，箭头的方向是它的导通方向；Ie近似等于Ic。
NPN型管作开关用法时，c、b极是高电势位，e极是低电势位，如同两条支流汇合。PNP型管则相反，只有一个高电势位，如同一条干流分流。作为开关使用时，当要求基极为低电平时三极管饱和导通，用PNP型管。见下面图3.8的电路。
这两个电路都存在问题。左边的电路基极限流电阻是R1+R2，负载（LED）限流电阻是R1。当GPIO输出低电平时，eb间压降足够，三极管导通。然而一导通，e点电位变为ec的导通压降，2.2节中提到过，这个压降很小。于是eb间压降不够，管子关断。最后会达到一个不正常工作的平衡点。右边的电路在于三极管无法关断，要把负载电源由5V换成3.3V才行。
3.2.3 固定基极电位
如图3.9，在b-e间添加一个下拉电阻，效果是显著的。如果不加这个电阻，电路可以正常工作，但是会有一些“小毛病”。比如，有些单片机（比如上面的那款stm32）上电或重新启动程序时，基极会出来一个脉冲，可以看到LED闪一下。或者当单片机开启而不执行程序时，LED也在发出暗淡的光，此时你用手去触摸一下连接到基极的引脚（人体相当于一个大天线），甚至可以看到灯亮。推荐大家去动手实验，这样才能感受到这个电阻的意义。它没法靠计算得到。
仅需一个下拉电阻就可以抹除这些现象，实在诱人。除非你故意要实现上面那些指示。当GPIO输出高电平时，它与基极限流电阻的分压能保证基极电位足够，而且消耗的功率很小。当GPIO输出低电平时，多余的能量能通过它泄放，而不是在基极积聚直到be导通。
笔者用手头的电阻在面包板上试了一下，这个电阻用20kΩ时依然不错，50kΩ时就有点差强人意了。试来试去，10kΩ最让人满意。这意味着，如果你要严格控制LED亮灭，在3.2.1中计算出来的电阻值全都太大不适用而变为参考值，它们会使分压出问题。因此只能降低基极限流电阻，使三极管更加过饱和。
b-e间可以添加电容，暂时吸收瞬态能量，但电容只能防住误闪问题，而且可能对开、关有影响，比如I/O口输出PWM时。因此不建议添加，欢迎大家提出意见。
3.2.4 开关频率
BJT更加过饱和不仅会稍稍提升I/O的负担，增加一点功耗，还会影响开关频率。典型的例子是PWM呼吸灯。下图3.10是单片机程序中将占空比调整为50%，不断提升开关频率，LED阳极电压的变化。其中三极管的型号是2N2222，LED是直插型、像一顶小帽子的那种常见发光二极管（导通压降约1.8V）。供电3.3V，和GPIO的高电平一致。
可以看到，开关关断的时间随开关频率的增加不断下降，似乎随着开关频率的增加，三极管越来越难关断。这是因为三级管关断需要时间——追根究底，是因为基极少子分布的建立或撤消需要时间，从而引起开关状态的延迟，当三极管过饱和时，这种延迟状态更明显。你可以认为截止区是跑道的起点，饱和区是没有终点的前方。往饱和区走得越远，回到截止区所需的时间就越长。
推荐文献：
[2]钱 敏,李文石,黄秋萍.双极型开关晶体管延时模型和带负载能力研究.[J]苏州大学学报(自然科学版),2003,19(3):48-49
“······TTL电路的输出级一般工作在超饱和状态，其带负载能力受到饱和程度的限制。饱和深度越大，允许的负载电流就越大，所带灌电流负载能力越强。但饱和深度太大会使延迟时间加大。器件或集成电路设计时，应当选取一合理的饱和深度。”
显然MOSFET不存在这个问题，因为它没有这种“基极电流”。因此，BJT不适合高频开关，如果要用PWM做呼吸灯，参考上面的测试结果，频率在10kHz内还是挺准确的。这个开关频率在大部分日常场景中已经足够用了。在过饱和设计时，要留意这种需求。
笔者作为初学者，总结分享了这些杂碎的笔记，为抛砖引玉与同志们共同交流进步，也恳请前辈们不吝赐教。希望本文能对你有所帮助。
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