1、PTPX概述
PrimeTime PX(PTPX)提供vector-free和vector-based的峰值功率分析和平均功率分析。PTPX的矢量是Value Change Dump(VCD)或者Swithing Activity Interchange Format(SAIF)中寄存器传输级(Register Transfer Level,RTL)或门级仿真结果。
PTPX提供了多电压和功率域分析,它还有一个集成图形用户界面(Graphical User Interface,GUI)来可视化功耗debug。
PTPX工具基于Synopsys数据库格式(.db)中的电路连接、开关活动、网络电容和单元级功耗行为数据建立了设计的详细功耗描述。(.db)库可以是非线性功耗模型(NLPM)库或者复合电流源(CCS)库。它计算了单元级电路的功耗行为,并且输出在片级、块级和单元级的功耗报告。
2、PTPX的两种模式
- Averaged power analysis
Averaged模式是一种基于平均值的功耗分析模式,PTPX支持基于默认值、用户定义的开关或者来自HDL仿真(或者RTL/门级)开关的开关活动的传播。
- Time-based power analysis
为了准确地进行与时间相关的功耗分析,PTPX支持基于RTL或门级模拟活动随时间变化的分析,运用事件驱动算法来计算每个事件的功耗,生成基于时间的功耗模型来提供平均功耗结果和峰值功耗结果。
3、电路中功耗的组成
电路中的功耗主要分为静态功耗和动态功耗。
3.1 静态功耗
静态功耗又称为泄漏功耗,理论上不存在直流导通电流,理想状态下静态功耗应当为零。然而,由于实际电路中泄漏电流的存在,使得电流在静态时的功耗无法达到零值。泄漏电流主要由四种类型的电流构成,分别为反偏二极管泄漏电流、门栅感应漏极泄漏电流、亚阈值泄漏电流以及门栅泄漏电流。
Ileakage为总的泄漏电流,Ireverse为反偏二极管泄漏电流,IGIDL为门栅感应漏极泄漏电流,IDS亚阈值泄漏电流,Igate为栅泄漏电流。
静态功耗的计算公式为:
3.2 动态功耗
动态功耗主要由两部分组成:开关功耗和短路功耗。动态功耗的大小取决于多个因素,包括MOSFET的开关频率、电源电压以及输入信号的频率和幅度等。
3.2.1 开关功耗
在CMOS集成电路中,由于采用了互补的N型和P型MOSFET组成的电路结构,当输入信号产生翻转时,电路中的MOSFET会进行开关操作,电源对负载电容进行充放电操作,从而产生开关功耗。
①当输入信号IN为低电平时,PMOS器件导通的同时NMOS产生关断,信号输出端OUT与电源之间产生了一条直流通路,电源对负载电容进行充电,输出端口的电压会逐渐从0上升至电源电压VDD。PMOS会消耗掉电源向电路提供能量的一半,并将这部分能量以热能的形式散发出去。
②当输入信号IN为高电平时,两个MOS管的导通状态发生转变,此时电容会向外界放电直至端口电压变为0。
在一个充放电周期内,假设CMOS门的输出端口的电平可变换两次,以上述CMOS反相器为例,对MOS管充放电两次的平均功耗为:
T为充放电周期,VDD是电源电压,CL为输出端口的负载电容容值,V0为当前输出电压。
3.2.2 短路功耗
在开关过程中,由于实际输入电压波形并非理想的瞬间阶跃变化,会导致PMOS管和NMOS管在极短的时间内同时导通。当两者同时开启时,它们之间会形成一个直接的电流通路,连接电源和地,从而在电路中产生瞬时的短路现象。
由短路电流引起的能量的损失就是短路功耗,输入电压达到VDD-VT之前,PMOS管保持导通状态,当输入电压上升到阈值电压VT时,NMOS管开始导通,两者导通的时间存在交叠,产生交叠的阴影区域是短路现象发生的区域,短路功耗计算公式为:
ISC为短路电流,k为NMOS和PMOS的介电常数,这一参数影响着器件的电学性质,τ为电平转换时间,VT为开启阈值电压,fclk为时钟频率,代表电路内部信号处理速度的快慢。
4、功耗降低因子
功耗降低因子(Power Derating Factor)对静态功耗和动态功耗应用一个乘法因子,可以应用于设计、单元。在Averaged power analysis和Time-based power analysis下都支持功耗降低特征,指定的降低因子会影响功耗分析的结果。
- 支持功耗降低的命令
set_power_derate
reset_power_derate
report_power_derate
- 指定设计对象上的功率降低因子
使用set_power_derate可在以下对象上指定功耗降低因子
Internal power
Swithing power
Leakage power
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