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MOS管三极

时间:2024-07-01 20:32:29浏览次数:12  
标签:MOSFET 导电 MOS 沟道 栅极 施加 三极

MOS管

MOS管的三极

1.MOS管概述

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2.MOS管开关电路的生成

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3.MOS管又分为N-MOS管和P-MOS管

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  1. N-MOS(N沟道MOSFET)
    • 结构和工作原理:N-MOSFET的导电沟道是由N型沟道形成的,通常是在P型衬底上形成的。在N-MOSFET中,当栅极施加正电压时,形成电场,使得N型沟道中的电子(载流子)能够从源极流向漏极,从而形成导电通路。
    • 增强型和耗尽型
    • 特点:N-MOSFET在导通时需要栅极施加正电压,通常用作开关和放大器的关键组成部分,特别是在数字电路中,因其速度快、功耗低而广泛应用。
  2. P-MOS(P沟道MOSFET)
    • 结构和工作原理:P-MOSFET的导电沟道是由P型沟道形成的,通常是在N型衬底上形成的。在P-MOSFET中,当栅极施加负电压时,形成电场,使得P型沟道中的空穴(载流子)能够从源极流向漏极,从而形成导电通路。
    • 增强型和耗尽型
    • 特点:P-MOSFET在导通时需要栅极施加负电压,通常用作开关和放大器的关键组成部分,特别是在模拟电路中,因其在特定应用中的优势(例如在某些情况下的低漏电流)而被选择。

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标签:MOSFET,导电,MOS,沟道,栅极,施加,三极
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