STM32_HAL_FLASH 模拟 EEPROM

标签：SECTOR HAL ADDR FLASH 扇区 STM32 地址 uint32

1. STM32 FLASH简介

STM32F407ZGT6 的 FLASH 容量为1024K 字节， STM32F40xx/41xx 的闪存模块组织如图

STM32F4 的闪存模块由主存储器、系统存储器、 OPT 区域和选项字节等 4 部分组成。

主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。分为 12 个扇区，前 4个扇区为 16KB 大小，扇区 4 为 64KB 大小，扇区 5~11 为 128KB 大小，不同容量的 STM32F4，拥有的扇区数不一样，比如我们的 STM32F407ZGT6，拥有 12 个扇区。从表 46.1 可以看出，主存储器的起始地址为 0x08000000， B0、 B1 都接 GND 的时候，就是从 0x08000000 开始运行代码。

系统存储器，主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码，此代码在出厂的时候就固化在STM32F4 里面了，专门用来给主存储器下载代码的。当 B0 接 V3.3， B1 接 GND 的时候，从该存储器启动（即进入串口下载模式）。

OTP 区域，即一次性可编程区域，总共 528 字节大小，被分成两个部分，前面 512 字节（32字节为 1 块，分成 16 块），可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除！！），后面 16 字节，用于锁定对应块。

选项字节，用于配置读保护、 BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。

闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制结构。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行。既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

1.1 闪存的读取

STM32F4 可以通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块，本章主要讲解的数据读写，即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟（HCLK）频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器（FLASH_ACR）中正确地设置等待周期数（LATENCY）。当电源电压低于 2.1V 时，必须关闭预取缓冲器。 Flash等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系，如表

等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后， CPU 时钟频率为内部 16 M RC 振荡器（HIS）， LATENCY 默认是 0，即 1 个等待周期。供电电压，我们一般是 3.3V，所以，在我们设置 168 MHz 频率作为 CPU 时钟之前，必须先设置 LATENCY 为5，否则 FLASH 读写可能出错，导致死机。

正常工作时（168 MHz），虽然 FLASH 需要 6 个 CPU 等待周期，但是由于 STM32F4 具有自适应实时存储器加速器(ART Accelerator)，通过指令缓存存储器，预取指令，实现相当于 0 FLASH 等待的运行速度。关于自适应实时存储器加速器的详细介绍，请大家参考《STM32F4xx参考手册_V4（中文版） .pdf》 3.4.2 节。 STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8 位，半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：

data = *(volatile uint32_t *)addr；

将 addr 强制转换为 volatile uint32_t 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr地址的值。类似的，将上面的 volatile uint32_t 改为 volatile uint16_t，即可读取指定地址的一个半字。相对 FLASH 读取来说， STM32F4 FLASH 的写就复杂一点了，下面我们介绍 STM32F4闪存的编程和擦除。

1.2 闪存的编程和擦除

执行任何 Flash 编程操作（擦除或编程）时， CPU 时钟频率(HCLK)不能低于 1 MHz。如果在 Flash 操作期间发生器件复位，无法保证 Flash 中的内容。

在对 STM32F4 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从 Flash中执行代码或数据获取操作。

STM32F4 用户闪存的编程一般由 6 个 32 位寄存器控制，他们分别是：

⚫ FLASH 访问控制寄存器(FLASH_ACR)

⚫ FLASH 秘钥寄存器(FLASH_KEYR)

⚫ FLASH 选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)

⚫ FLASH 状态寄存器(FLASH_SR)

⚫ FLASH 控制寄存器(FLASH_CR)

⚫ FLASH 选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)

STM32F4 复位后， FLASH 编程操作是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列（0x45670123 和 0xCDEF89AB）到 FLASH_KEYR 寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。FLASH_CR 的解锁序列为：

（1）写 0x45670123 到 FLASH_KEYR

（2）写 0xCDEF89AB 到 FLASH_KEYR

通过这两个步骤，即可解锁 FLASH_CR，如果写入错误，那么 FLASH_CR 将被锁定，直到下次复位后才可以再次解锁。

STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置， PSIZE 的设置必须和电源电压匹配，见表

由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为 10，即 32 位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32 位为基础进行。

FLASH 配置步骤

STM32F4 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0xFFFFFFFF），无法写入。 STM32F4 的标准编程步骤如图

从上图可以得到闪存的编程顺序如下：

1，检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁

2，检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作

3，设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为‘1’

4，在指定的地址写入数据（一次写入 32 字节，不能超过 32 字节）

5，等待 BSY 位变为‘0’

6，读出写入地址并验证数据

前面提到，我们在 STM32 的 FLASH 编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以，我们有必要再介绍一下 STM32 的闪存擦除， STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。页擦除过程如图

1，检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁

2，检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作

3，在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并设置 SNB=0（只有 1 个扇区，扇区 0）

4，将 FLASH_CR 寄存器中的 START 位置 1，触发擦除操作5，等待 BSY 位清零

经过以上五步，就可以擦除某个扇区。

1.3 FLASH 寄存器

⚫ Flash 访问控制寄存器（FLASH_ACR）

⚫ FLASH 密钥寄存器（FLASH_KEYR）

⚫ FLASH 控制寄存器（FLASH_CR）

LOCK 位，该位用于指示 FLASH_CR 寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。

STRT 位，该位用于开始一次擦除操作。在该为写入 1，将执行一次擦除操作。PSIZE[1:0]位，用于设置编程宽度，我们一般设置 PSIZE = 2 即可（32 位）。SNB[3:0]位，这 4 个位用于选择要擦除的扇区编号，取值范围为 0~1。

SER 位，该位用于选择扇区擦除操作，在扇区擦除的时候，需要将该位置 1。PG 位，该位用于选择编程操作，在往 FLASH 写数据的时候，该位需要置 1。

⚫ FLASH 状态寄存器（FLASH_SR）

该寄存器我们主要用了 BSY 位：表示 BANK 当前正在执行编程操作，当该位为 1 时，表示正在执行 FLASH 操作，当该位为 0 时，表示当前未执行 FLASH 操作。

2. 程序设计

flash.h

#ifndef __STMFLASH_H
#define __STMFLASH_H

#include "./SYSTEM/sys/sys.h"


/* FLASH起始地址 */
#define STM32_FLASH_SIZE        0x100000        /* STM32 FLASH 总大小 */
#define STM32_FLASH_BASE        0x08000000      /* STM32 FLASH 起始地址 */
#define FLASH_WAITETIME         50000           /* FLASH等待超时时间 */

/* FLASH 扇区的起始地址 */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((uint32_t )0x08000000)     /* 扇区0起始地址, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((uint32_t )0x08004000)     /* 扇区1起始地址, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((uint32_t )0x08008000)     /* 扇区2起始地址, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((uint32_t )0x0800C000)     /* 扇区3起始地址, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((uint32_t )0x08010000)     /* 扇区4起始地址, 64 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((uint32_t )0x08020000)     /* 扇区5起始地址, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((uint32_t )0x08040000)     /* 扇区6起始地址, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((uint32_t )0x08060000)     /* 扇区7起始地址, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((uint32_t )0x08080000)     /* 扇区8起始地址, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9     ((uint32_t )0x080A0000)     /* 扇区9起始地址, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10    ((uint32_t )0x080C0000)     /* 扇区10起始地址,128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11    ((uint32_t )0x080E0000)     /* 扇区11起始地址,128 Kbytes */

uint32_t stmflash_read_word(uint32_t faddr);                             /* 读出字 */
void stmflash_write(uint32_t waddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length);    /* 从指定地址开始写入指定长度的数据 */
void stmflash_read(uint32_t raddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length);     /* 从指定地址开始读出指定长度的数据 */

void test_write(uint32_t waddr, uint32_t wdata);                         /* 测试写入 */

#endif

flash.c

#include "./SYSTEM/usart/usart.h"
#include "./SYSTEM/delay/delay.h"
#include "./BSP/STMFLASH/stmflash.h"

/**
 * @brief       从指定地址读取一个字 (32位数据)
 * @param       faddr   : 读取地址 (此地址必须为4倍数!!)
 * @retval      读取到的数据 (32位)
 */
uint32_t stmflash_read_word(uint32_t faddr)
{
    return *(volatile uint32_t *)faddr;
}

/**
 * @brief       获取某个地址所在的flash扇区
 * @param       addr    : lash地址
 * @retval      0~11,即addr所在的扇区
 */
uint8_t  stmflash_get_flash_sector(uint32_t addr)
{
    if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_1) return FLASH_SECTOR_0;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_2) return FLASH_SECTOR_1;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_3) return FLASH_SECTOR_2;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_4) return FLASH_SECTOR_3;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_5) return FLASH_SECTOR_4;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_6) return FLASH_SECTOR_5;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_7) return FLASH_SECTOR_6;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_8) return FLASH_SECTOR_7;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_9) return FLASH_SECTOR_8;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_10) return FLASH_SECTOR_9;
    else if (addr < ADDR_FLASH_SECTOR_11) return FLASH_SECTOR_10;
    return FLASH_SECTOR_11;
}

/**
 * @brief       在FLASH 指定位置, 写入指定长度的数据(自动擦除)
 *   @note      因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数写地址如果非0XFF
 *              ,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.
 *              建议写之前确保扇区里没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
 *              该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
 *              OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F(注意：最后16字节，用于OTP数据块锁定，别乱写！！)
 * @param       waddr   : 起始地址 (此地址必须为4的倍数!!,否则写入出错!)
 * @param       pbuf    : 数据指针
 * @param       length  : 要写入的 字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数)
 * @retval      无
 */
void stmflash_write(uint32_t waddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{
    FLASH_EraseInitTypeDef flasheraseinit;
    HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;

    uint32_t addrx = 0;
    uint32_t endaddr = 0;
    uint32_t sectorerror=0;
    
    if (waddr < STM32_FLASH_BASE || waddr % 4 ||        /* 写入地址小于 STM32_FLASH_BASE, 或不是4的整数倍, 非法. */
        waddr > (STM32_FLASH_BASE + STM32_FLASH_SIZE))  /* 写入地址大于 STM32_FLASH_BASE + STM32_FLASH_SIZE, 非法. */
    {
        return;
    }

    HAL_FLASH_Unlock();             /* 解锁 */
    FLASH->ACR &= ~(1 << 10);       /* FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存!!! */

    addrx = waddr;                  /* 写入的起始地址 */
    endaddr = waddr + length * 4;   /* 写入的结束地址 */

    if (addrx < 0X1FFF0000)         /* 只有主存储区,才需要执行擦除操作!! */
    {
        while (addrx < endaddr)     /* 扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除) */
        {
            if (stmflash_read_word(addrx) != 0XFFFFFFFF)    /* 有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区 */
            {
                flasheraseinit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       /* 擦除类型，扇区擦除 */
                flasheraseinit.Sector=stmflash_get_flash_sector(addrx); /* 要擦除的扇区 */
                flasheraseinit.NbSectors=1;                             /* 一次只擦除一个扇区 */
                flasheraseinit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      /* 电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!! */

                if(HAL_FLASHEx_Erase(&flasheraseinit, &sectorerror) != HAL_OK) 
                {
                    break;/* 发生错误了 */
                }

            }
            else
            {
                addrx += 4;
            }
            FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                 /* 等待上次操作完成 */
        }
    }

    FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);             /* 等待上次操作完成 */

    if (FlashStatus==HAL_OK)
    {
        while (waddr < endaddr)     /* 写数据 */
        {
            if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, waddr, *pbuf) != HAL_OK)  /* 写入数据 */
            {
                break;              /* 写入异常 */
            }

            waddr += 4;
            pbuf++;
        }
    }
    
    FLASH->ACR |= 1 << 10;          /* FLASH擦除结束,开启数据fetch */

    HAL_FLASH_Lock();               /* 上锁 */
}

/**
 * @brief       从指定地址开始读出指定长度的数据
 * @param       raddr : 起始地址
 * @param       pbuf  : 数据指针
 * @param       length: 要读取的字(32)数,即4个字节的整数倍
 * @retval      无
 */
void stmflash_read(uint32_t raddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{
    uint32_t i;

    for (i = 0; i < length; i++)
    {
        pbuf[i] = stmflash_read_word(raddr);    /* 读取4个字节. */
        raddr += 4; /* 偏移4个字节. */
    }
}

/******************************************************************************************/
/* 测试用代码 */

/**
 * @brief       测试写数据(写1个字)
 * @param       waddr : 起始地址
 * @param       wdata : 要写入的数据
 * @retval      读取到的数据
 */
void test_write(uint32_t waddr, uint32_t wdata)
{
    stmflash_write(waddr, &wdata, 1);   /* 写入一个字 */
}

标签：SECTOR,HAL,ADDR,FLASH,扇区,STM32,地址,uint32
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