只读存储器：
按ROM的原始定义，一旦注入原始信息即不能改变，但随着用户的需要，总希望能任意修改ROM内的原始信息，便出现了PROM,EPROM,EEPROM等。
，掩模ROM（MROM):
采用重合法驱动，行列地址线分别经行列译码器，行列选择线交叉处有MOS管为“1”；行列选择线交叉处无MOS管为“0”。这种类型用户无法改变内容。
，PROM（一次性编程）：
根据熔丝断或未断区别所存信息是0还是1，熔丝断为0，熔丝未断，为1.
，EPROM（多次性编程）：
N型沟道浮动栅MOS电路，D漏端加正电压，形成浮动栅，S源端与D不导通为0；如果D端不加正电压，那么不会形成浮动栅，S与D导通为1.这是一种可擦除可编程只读存储器，他可以由用户对其所存信息进行任意次的改写，若用户需要改变其状态，可用紫外线照射来驱散浮动栅，再按需要将不同位置的MOS管D端重新置于正电压，得出新状态的ROM。
，EEPROM:
实现电可擦写，以及局部擦写和全部擦写。
闪速存储器：又称快擦型存储器。是一种新型的，性价比更高的可擦写非易失性存储器。既有EPRON的价格便宜，集成度高的优点，又有EEPROM电可擦写的特性，并且擦除重写的速度很快，比EEPROM快，已具备了RAM的功能，可与CPU直接连接，还具有高速编程的特点。