功能描述
1、采用51/52单片机作为主控芯片；
2、采用数码管显示计时秒数，单个操作均为20秒；
3、采用继电器控制进水、排水；
4、采用L298驱动电机；
5、具有强洗、标准洗、弱洗、甩干四种模式；
6、强洗流程：进水、三轮洗涤、排水、甩干、进水、漂洗、排水、甩干；
7、标准洗流程：进水、两轮洗涤、排水、甩干、进水、漂洗、排水、甩干；
8、弱洗流程：进水、一轮洗涤、排水、甩干、进水、漂洗、排水、甩干；
仿真设计
采用Proteus作为仿真设计工具。Proteus是一款著名的EDA工具（仿真软件），从原理图布图、代码调试到单片机与外围电路协同仿真，一键切换到PCB设计，真正实现了从概念到产品的完整设计。
单片机管脚说明：
P0端口（P0.0-P0.7）：P0口为一个8位漏极开路双向I/O口，每个引脚可吸收8TTL门电流。当P1口的管脚第一次写1时，被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时，P0 口作为原码输入口，当FIASH进行校验时，P0输出原码，此时P0外部必须被拉高。
P1端口（P1.0-P1.7）：P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后，被内部上拉为高电平，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时，P1口作为第八位地址接收。
P2端口（P2.0-P2.7）：P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2口缓冲器可接收，输出4个TTL门电流，当P2口被写“1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输入时，P2口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口，用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。
P3端口（P3.0-P3.7）：P3口管脚是一个带有内部上拉电阻的8位的双向I/O端口，可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入端时，由于外部下拉为低电平，P3口将输出电流（ILL）。P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。
VCC（40）：供电电压，其工作电压为5V。
GND（20）：接地。
RST(9)：复位输入。在振荡器运行时，有两个机器周期（24个振荡周期）以上的高电平出现在此引脚时，将使单片机复位，只要这个引脚保持高电平，51芯片便循环复位。复位后P3.0-P3.7口均置1，引脚表现为高电平，程序计数器和特殊功能寄存器SFR全部清零。当复位脚由高电平变为低电平时，芯片为ROM的00H处开始运行程序。复位操作不会对内部RAM有所影响。
ALE/PROG (30)：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地低位字节。在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。如果想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时， ALE只有在执行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。另外，该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止，则置位无效。
PSEN(29)：外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指令期间，每个机器周期两次PSEN有效。但在访问外部数据存储器时，这两次有效的PSEN信号将不出现。
XTAL1(19)：来自反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。
XTAL2(18)：来自反向振荡器的输出。
EA/VPP(31)：当EA保持低电平时，则在此期间外部程序存储器（0000H-FFFFH），不管是否有内部程序存储器。注意加密方式1时，EA将内部锁定为RESET；当EA端保持高电平时，此间内部程序存储器。在FLASH编程期间，此引脚也用于施加12V的编程电源（VPP）。
主程序设计
void main(void)
{
TMOD=0x01; //方式1 16位计数器
TH0=-50000/256; //设定初值
TL0=-50000%256;
EA=1; //开总中断
ET0=1; //开定时器0中断
TR0=1; //启动定时器0
P2=0;
int_time=0; //中断次数初始化
second=00; //秒初始化
while(1)
{
if(k1==0)
{
delay(10);
if(k1==0)
{
f_an1();
}
}
if(k2==0)
{
delay(10);
if(k2==0)
{
f_an2();
}
}
if(k3==0)
{
delay(10);
if(k3==0)
{
f_an3();
}
}
if(sg==0)
{
delay(10);
if(sg==0)
{
sgan1();
}
}
}
// return 0;
}
void time0() interrupt 1 using 1
{
int_time ++; //每来一次中断,中断次数int_time自加1
if(int_time==20) //够20次中断,即1秒钟进行一次检测结果采样
{
int_time=0; //中断次数清0
second++; //秒加1
}
TH0 =-50000/256; //50000 =50ms中断一次
TL0 =-50000%256;
t++;
tt++;
}
源文件获取
关注公众号-电子开发圈，首页发送 “洗衣机” 获取；
标签：仿真,P2,甩干,输出,外部,存储器,单片机,0098,高电平 From： https://blog.csdn.net/weixin_42625444/article/details/135438423