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从SLC 到 MLC、TLC颗粒

时间:2024-03-17 09:29:05浏览次数:17  
标签:MLC 00 Vprog TLC program 颗粒 SLC

*以下是个人对相关基础知识的梳理和总结,对于高度专业性的知识个人理解可能会有出入,如果有误,希望各位大佬不吝指教;


1.SLC 颗粒 (Single-Level Cell)

    SLC颗粒每个储存单元只存储一个信息位(即“0”或“1”),因此其存储容量相对较小,单位存储成本相对较高;但也正是由于SLC颗粒的单一信息位存储方式,其读写速度非常快,且寿命相对较长。它们通常被用于对可靠性和性能有高要求的专业领域固态硬盘中,这些领域对数据的安全性要求较高,需要保存更长时间。

    【前面的博文都是以SLC 颗粒举例讲解】

    那么在不改变硬件size的前提下,有没有办法增加存储容量呢?

     可以,工程师们开始在栅极电压的大小上做文章,于是MLC等应运而生;

    前面提到过,对cell 进行program实际上是写0,如果没有program默认数据就是1,所以program只需要一个合理的电压值即可

存的bit数增加之后,每个信息的电压范围就变窄了;变窄了之后对program、read的要求变高了;数据的稳定性就差了;

2.MLC颗粒 (Multi-Level Cell)

    MLC颗粒则可以在每个储存单元内储存2bits 信息,从而提高了存储容量,降低了单位存储容量成本。

    2bit就可以代表4种数据,11,10,01,00,

    下面开始思考program MLC的flow:比如把11 的Vprog = 0V,10 的Vprog = 1V,01 的Vprog = 2V,00 的Vprog = 3V,

            对于单个cell来说,只需要prog一次就ok了

            对于整个WL(假设一个WL有100个cell)来说,则需要program3次才能完成整个wl的写动作,第一次Vprog = 1V,第二次Vprog = 2V,第三次Vprog = 3V

     但是真正在program并不是按照这个电压排序

    在这里引出格雷码的概念:

        在一组数的编码中,若任意两个相邻的代码只有一位二进制数不同,则称这种编码为格雷码(Gray Code)

        因为后面需要用格雷码来保证相邻状态的编码之间只有一位不同,所以就变成了下面这样:

        11 的Vprog = 0V,10 的Vprog = 1V,00 的Vprog = 2V,01 的Vprog = 3V

        那为什么需要这么做呢?就和read 有关系了

       下面开始思考read MLC的flow: 

            继续把上述的四组数据分类:11, 10,00, 01,高bit称为高页,低bit称为低页

            先看高页1 1 0 0 ,那我们在中间读一次就可以知道高页是1还是0

            再看低页1 | 0 0 | 1,那我们读两次就可以知道低页是1还是0

    通过三次read,就可以知道所有Cell中的info了

    可以考虑下一开始举的例子,如果按照这种方式prog,11,10,01,00,需要读几次?

3.SLC颗粒 (Trinary-Level Cell) (目前常用)

    TLC颗粒每个存储单元可以存储3bit信息

   3bit就可以代表8种数据,111,110,101,100,011,010,001,000

    要根据不同类型的sensing,有1-2-4,2-3-2,1-3-3类型

    下面以1-3-3举例

        根据这个图就可以知道电压的分布,自己可以仿照MLC来分析;

 

format,png

4.QLC颗粒 (Quad-Level Cell)

    QLC颗粒则可以存储4bit信息

    4bit就可以代表16种数据,1111,1110,1101,1100,1011,1010,1001,1000,0111,0110,0101,0100,0011,0010,0001,0000

    作为SSD 固件开发工程师,目前还没有接触过QLC颗粒o(╥﹏╥)o

    等后续接触到了,再来update。。。

 

标签:MLC,00,Vprog,TLC,program,颗粒,SLC
From: https://blog.csdn.net/qq_36677517/article/details/136718087

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