芯片生产过程中，由于外界条件和生产条件的变化，如PVT，可能导致同一晶圆上不同区域的芯片晶体管速度变快或变慢，从而产生corner概念。BCWC代表best case corner和worst case corner，分别表示两种不同的PVT环境。OCV、AOCV、POCV和LVF模式是在不同PVT（不同corner）基础上添加derate。
1. OCV
on chip variation
OCV指on chip variation，即同一块芯片上的晶体管也会有变快或变慢的现象，因此引入OCV的概念。
OCV在path上设置统一的derate，悲观度较高。derate数值是指对launch、capture、data path的cell 或者net 上添加一个比理想情况更为悲观的系数；比如针对setup，launch的derate统一设置为1.1，表示delay时间增加值原来的1.1倍；capture的derate统一设置为0.9，表示delay时间变为原来的0.9倍。从而使设计能够覆盖实际生产过程中产生的variation。
针对common path，利用cppr将悲观量移除。
2. AOCV
在传统OCV上引入了对路径长度和整个路径在物理上所跨越的距离的考虑。在实际设计中，;通过对一条path中cell 在不同的逻辑深度时的仿真，以及基于前后级在物理中不同距离来得到一个更精确的derate值来进行时序分析，而不是OCV传统的粗放式的统一的derate。
AOCV derate table：
(1)path depth：基于cell在整条时序路径中所处的深度或者级数来考虑derate；
(2)path distance：基于路径中cell或net跨越的物理距离来给出相应的derate；
3. POCV
POCV，又称SOCV(Statistical On Chip Variation)，如下图所示，POCV将delay模拟成一个正态分布，每个cell的delay最高概率出现在 u周围。整体落在±3σ区间内的概率为99.7%；
LVT 库就是POCV 在工具中的体现形式，POCV 的信息就记录在LVT 库中，（LVT = liberty variation format）；
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标签：AOCV,POCV,derate,cell,LVF,path,OCV From： https://www.cnblogs.com/xiaoxie2014/p/18021526