负载电容(Load Capacitance)CL：在电路中跨接晶振两端总的外界有效电容；要等于或接近晶振数据手册给出的数值才能使晶振按照预期工作；比较通常使用的24MHz晶振负载电容是20pF
静态电容C0：以石英晶片为介电材料和两个电极之间的电容；很多晶振规格里是<3pF的；
SYN5305型晶振测试仪集合有源和无源晶振测试，多种贴片和直插封装，1.8V/2.5V/3.3V/5V等多种晶振供电电压，涵盖大多数电子产品晶体测试，广泛应用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业对于晶振的验证或筛选。
产品特点
a) 高度集成，精度高；
b) 稳定性好，性能可靠；
c) 7寸触摸屏设计，操作简单。
典型应用
1) 通信设备、汽车电子设备、医疗电子、安防电子、工业自动化设备等生产商，对于提供基准频率的晶振进行验证或筛选。
产品功能
1) PPM测量，上下限测量；
2) 频率测量范围高达6GHz;
3) 频率测量分辨率高达12位/s;
4) 多种晶振测试工装，满足常规测试应用。
晶振是有源晶振的简称，又叫振荡器。英文名称是oscillator。
晶体则是无源晶振的简称，也叫谐振器。英文名称是crystal，电路上简称为XTAL。
无源晶振（晶体）：需要借助时钟电路才能产生振荡信号。
有源晶振（晶振）：内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。
有源晶振内部是包含了一个无源晶振，然后再将阻容、放大等电路也包含进去。
标称频率(Normal Frequency) F0：电路设计上所需的实际频率。
振动模式(Mode of Oscillation)：按照切割工艺来划分的。
技术指标
频率范围 | 通道1 通道2（选件） | 1mHz～350MHz |
通道3（选件） | 3GHz、6GHz（选件） | |
阻抗耦合 | 通道1，通道2 | 50Ω/1MΩ, AC |
通道3 | 50Ω, AC | |
最高分辨率 | 12位/1s | |
最小输入灵敏度 | 25mVrms | |
最大输入电平 | +20dBm | |
闸门时间 | 1ms～100000s，步进1μs | |
测量功能 | 频率、周期、输入功率最大值/最小值/峰峰值，PPM测量，上下限测量 | |
统计功能 | 平均值、标准偏差、频率偏差、最大值、最小值、峰峰值、阿仑方差,趋势图和直方图 | |
功率测量范围 | -50dBm～+20dBm | |
功率测量精度 | ±2dBm | |
晶振测试工装 | 频率范围 （可选其它频点） | 20kHz～50MHz （无源） DC～350MHz （有源） |
匹配电容 | 5pF～20pF | |
可测封装 (可选其它封装) | 5032（2P/4P）/3215(2P)/3225(4P)/2550(4P)/DIP直插 | |
内部晶振供电 | 1.8V/2.5V/3.3V/5V | |
外部晶振供电 | 其它直流电压0～50V | |
工装工作电压 | DC12V | |
内部时基 | 输出频率 | 10MHz |
恒温晶振 （可选更高时基） | 开机特性≤1E-8 | |
频率准确度≤3E-8（出厂设置） | ||
老化率≤5E-10/日，老化率≤5E-8/年 | ||
秒稳定度≤3E-11/s | ||
外部参考输入 | 输入频率 | 10MHz |
电平 | 0dBm～20dBm | |
物理接口 | BNC | |
数据通信 | USB通信、DB9串口通信、RJ45网络通信 | |
环境特性 | 工作温度 | 0℃～＋50℃ |
相对湿度 | ≤90%（40℃） | |
存储温度 | -30℃～＋70℃ | |
供电电源 | 交流 220V±10%， 50Hz±5%，功率小于15W | |
机箱尺寸 | 便携式机箱（上机架）320mm（宽）x280（深）x140mm（高） | |
选件 | 根据客户要求定做类似产品。 | |
总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳
定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频
率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。
⒉ 频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度
或带隐含基准温度的最大允许频偏。
fT=±（fmax-fmin)/(fmax+fmin)
fTref =±MAX[|（fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|]
fT：频率温度稳定度（不带隐含基准温度）
fTref：频率温度稳定度（带隐含基准温度）
fmax ：规定温度范围内测得的最高频率
fmin：规定温度范围内测得的最低频率
fref：规定基准温度测得的频率
说明：采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器，故
fTref指标的晶体振荡器售价较高。