首页 > 其他分享 >D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80

D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80

时间:2024-01-12 11:38:27浏览次数:30  
标签:螺钉 整流桥 D35XB80 加平 ASEMI 正向

编辑:ll

D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80

型号:D35XB80

品牌:ASEMI

封装:GBJ-5(带康铜丝)

平均正向整流电流(Id):35A

最大反向击穿电压(VRM):800V

产品引线数量:5

产品内部芯片个数:4

产品内部芯片尺寸:72MIL

峰值正向漏电流:<10ua

恢复时间:>2000ns

正向浪涌电流:450A

正向压降:1.05V

恢复时间:

工作结温:-55℃~150℃

包装方式:500/盒:3000/箱

D35XB80应用领域

开关电源

家用电器

办公设备

工业自动化设备

安装时应注意:

可直接使用自带垫圈M3* 10~15mm 十字螺钉或一字螺钉

可选用螺钉加平垫安装

如使用弹垫安装需在弹垫下面加平垫

D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80_D35XB80

D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80_ASEMI_02

D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80_整流桥_03

标签:螺钉,整流桥,D35XB80,加平,ASEMI,正向
From: https://blog.51cto.com/u_15591410/9212334

相关文章

  • D35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60
    编辑:llD35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60型号:D35XB60品牌:ASEMI封装:GBJ-5(带康铜丝)特性:插件、整流桥平均正向整流电流(Id):35A最大反向击穿电压(VRM):600V恢复时间:>2000ns最大RMS电压:引脚数量:5芯片个数:4最大正向压降:1.05V芯片尺寸:110MIL安装扭矩:推荐使用0.6N.m正向浪涌电流(IFSM):450A漏电流:10u......
  • MURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060
    编辑:llMURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060型号:MURD1060品牌:ASEMI封装:TO-252平均正向整流电流(Id):10A最大反向击穿电压(VRM):600V产品引线数量:3产品内部芯片个数:2产品内部芯片尺寸:72MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:>2000ns正向浪涌电流:550A正向压降:1.7V恢复时间:35ns最大正向电......
  • MURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060
    编辑:llMURD1060-ASEMI快恢复TO-252封装二极管MURD1060型号:MURD1060品牌:ASEMI封装:TO-252平均正向整流电流(Id):10A最大反向击穿电压(VRM):600V产品引线数量:3产品内部芯片个数:2产品内部芯片尺寸:72MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:>2000ns正向浪涌电流:550A正向压降:1.7V恢复时间......
  • D55XT100-ASEMI电机专用整流桥D55XT100
    编辑:llD55XT100-ASEMI电机专用整流桥D55XT100型号:D55XT100品牌:ASEMI封装:DXT-4平均正向整流电流(Id):55A最大反向击穿电压(VRM):1000V产品引线数量:4产品内部芯片个数:4产品内部芯片尺寸:95MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:>2000ns正向浪涌电流:550A芯片材质:光阻GPP最大正向电压:工作结温:-55℃~15......
  • D55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80
    编辑:llD55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80型号:D55XT80品牌:ASEMI封装:DXT-4特性:插件、整流桥平均正向整流电流(Id):55A最大反向击穿电压(VRM):800V恢复时间:>2000ns最大RMS电压:引脚数量:4芯片个数:4最大正向压降:1.10V芯片尺寸:110MIL正向浪涌电流(IFSM):550A漏电流:10ua工作温度:-55℃~150℃包装方式:20......
  • D55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80
    编辑:llD55XT80-ASEMI配电箱整流桥D55XT80型号:D55XT80品牌:ASEMI封装:DXT-4特性:插件、整流桥平均正向整流电流(Id):55A最大反向击穿电压(VRM):800V恢复时间:>2000ns最大RMS电压:引脚数量:4芯片个数:4最大正向压降:1.10V芯片尺寸:110MIL正向浪涌电流(IFSM):550A漏电流:10ua工作温度:-55......
  • MSB30M-ASEMI小贴片整流桥MSB30M
    编辑:llMSB30M-ASEMI小贴片整流桥MSB30M型号:MSB30M品牌:ASEMI封装:UMSB-4最大平均正向电流:3A最大重复峰值反向电压:1000V产品引线数量:4产品内部芯片个数:4产品内部芯片尺寸:50MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:>2000ns浪涌电流:50A芯片材质:光阻GPP最大正向电压:1.90V工作结温:-55℃~150℃包装方......
  • 7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65
    编辑:ll7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65型号:7N65品牌:ASEMI连续漏极电流(Id):4A漏源电压(Vdss):650V栅极阈值电压:±30V单脉冲雪崩能量:150mJ集电极电流(脉冲):8A导通内阻RDS(on):1.3Ω功率(Pd):50W芯片个数:1封装:TO-220F工作温度:-55°C~150°C引脚数量:3类型:插件塑封二极管、高压MOS管7N65描述:采......
  • D13005M-ASEMI高频电源开关D13005M
    编辑:llD13005M-ASEMI高频电源开关D13005M型号:D13005M品牌:ASEMI集电极电流:4A集电极电压:700V集电极-发射极电压:450V发射极-基极电压:12V集电极电流(脉冲):8A芯片个数:1封装:TO-220F工作温度:-50°C~150°C引脚数量:3集电极损耗:70W类型:插件塑封二极管、高压、高速D13005M描述:D13005M拥有广泛的......
  • 50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
    编辑:ll50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65型号:50N65品牌:ASEMI封装:TO-247连续漏极电流(Id):50A漏源电压(Vdss):650V功率(Pd):388W芯片个数:2引脚数量:3类型:插件、高压MOS管特性:N沟道MOS管、高压MOS管RDS(on):60mΩVGS:±30V封装尺寸:如图工作温度:-55°C~150°C50N65特性:50N65采用先进的沟槽技......