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04_基本元器件介绍

时间:2023-10-20 13:57:41浏览次数:38  
标签:04 集电极 三极管 介绍 元器件 场效应管 Ugs Ic Ib

基本元器件介绍

晶体三极管

什么是晶体三极管

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三极管特点

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三种工作状态

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放大状态

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特点:

1Ic = βIb

2Ic的大小只受Ib的控制

3Ie = Ic+Ib

工作状态:

1Ib一定时, Ic的大小和Uce无关

截止状态

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特点:

1Ib=0, Ic=0, Ie=Ib+Ic=0

工作状态: 集电极和发射极之间相当于开路

饱和状态

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特点:

1Ib和Ic都很大, Ic不再受Ib的控制,并且Uce所占电压较小, 相当于导线, 工程上我们认为硅饱和导通的Uce的压降为0.3V, 锗管为0.1V

三极管主要参数

共发射极电流放大系数

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集电极最大允许电流Icm

Ic必须小于Icm, 否则三极管可能被烧毁

集电极最大允许耗散功率Pcm

集电极--发射极间反向击穿电压U(br)ceo

Ue>Ub时不能超过U(br)ceo的值

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场效应管(mos管)

什么是场效应管

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总结:

  1. 可变电阻区

    特点: 当Uds比较小时, Id随Ugs的变化而变化

  2. 恒流区

    特点: Id不随Uds变化, 只随Ugs增大而增大

  3. 截止区

    特点: Ugs<1.5V, Id=0, 场效应管不导通

  4. 击穿区

    特点: 当Uds增大到一定值时, 场效应管被击穿, Id突然增大, 如无限流措施,管子将烧坏, 在场效应管使用中一定要注意, 防止管子击穿

  5. 过损耗区

    特点: 如果长时间工作在此区域, 没有很好的散热措施, 很可能由于功率较大, 造成管子烧坏. 所以在使用中也要注意. 管子的散热和最大功率

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三极管和场效应管的区别

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输入阻抗高可以减小对前极的影响

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结构分类

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N沟道型: NPN

P沟道型: PNP

耗尽型: 当Ugs=0V时, 给Uds电压, 也能产生电流Id

增强型: 当Ugs<(Ut=1.5V)时, 给Uds之间不管加多大电压, 都相当于断开

光耦

什么是光耦

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发声器件

发声器件的作用

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发声器件的介绍

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继电器

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继电器实物分析

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数码管

什么是数码管

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瞬态电压抑制器

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作用

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典型应用

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标签:04,集电极,三极管,介绍,元器件,场效应管,Ugs,Ic,Ib
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