先进、高效的THGBMTG5D1LBAIL、THGBMNG5D1LBAIT（4GB）THGBM eMMC闪存器件

器件介绍：

该THGBM e-MMC™托管型NAND闪存是先进、高效的器件，具有集成控制器、增强型存储管理和4GB至128GB密度。集成的存储管理功能包括纠错、损耗均衡和坏块管理。这些THGBM产品是2D NAND，而THGAM产品是3D NAND。

THGBM e-MMC闪存器件符合JEDEC 5.0 (4GB) 和5.1版标准，为具有更高数据速度和容量要求的应用提供了理想的解决方案。THGBM的高读写性能是通过应用HS400高速接口标准实现的。THGBM e-MMC器件还完全符合多媒体卡协会 (MMCA) 高速存储接口标准。

THGBM e-MMC闪存器件提供标准（-25°C至+85°C）和扩展（-40°C至+105°C）温度版本，并采用紧凑的FBGA封装。THGBM e-MMC NAND闪存器件基于15nm技术，尺寸仅为11.5mm x 13.0mm x 1.0mm，非常适合用于工业、消费类电子产品、多媒体、智能计量和智能照明应用。

器件规格：

产品种类：eMMC

封装/箱体：FBGA-153

存储容量：4 GB

顺序读取：400 MB/s

接口类型：eMMC 5.0

电源电压：2.7 V ~ 3.6 V

工作温度：-25°C ~ 85°C

封装：Tray

（THGBMTG5D1LBAIL）尺寸：11.5 mm x13 mm x 0.8 mm

（THGBMNG5D1LBAIT）尺寸：11 mm x10 mm x 0.8 mm

应用：

• 智能手机

• AR/VR

• 平板电脑、二合一设备

• 汽车

• 流媒体

• 智能音箱

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