高带宽pSRAM S27KS0643GABHV023/S27KS0643GABHA020（64Mbit）S27KS0643GABHA023 HyperRAM™存储器

高带宽pSRAM S27KS0643GABHV023/S27KS0643GABHA020（64Mbit）S27KS0643GABHA023 HyperRAM™存储器 — 明佳达供求

产品说明：

S27KS0643 64Mbit HYPERRAM™器件是一种高速CMOS，自刷新DRAM，具有xSPI (Octal)接口。 DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。 当内存没有被xSPI接口主(主机)主动读写时，设备内的刷新控制逻辑管理DRAM阵列上的刷新操作。 由于主机不需要管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRAM阵列似乎使用静态单元来保留数据而不进行刷新。 因此，将内存更准确地描述为伪静态RAM (PSRAM)。

由于DRAM单元不能在读或写事务期间刷新，因此要求主机限制读或写突发传输长度，以便在需要时允许内部逻辑刷新操作。主机必须限制事务的持续时间，并允许额外的初始访问延迟，在新事务开始时，如果内存指示需要刷新操作。

这些低功率、高性能、低引脚数pSRAM适用于需要额外的RAM来缓冲数据、音频、图像和视频等的应用，或者需要扩展存储器用作便笺式存储器，以进行数据密集型计算的应用。

S27KS0643GABHV023规格：

存储器类型：易失

存储器格式：PSRAM

技术：PSRAM（伪 SRAM）

存储容量：64Mbit

存储器组织：8M x 8

存储器接口：SPI - 八 I/O

时钟频率：200 MHz

写周期时间 - 字，页：35ns

访问时间：35 ns

电压 - 供电：1.7V ~ 2V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-VBGA

供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

S27KS0643GABHA020参数：

存储器类型：易失

存储器格式：PSRAM

技术：PSRAM（伪 SRAM）

存储容量：64Mbit

存储器组织：8M x 8

存储器接口：SPI - 八 I/O

时钟频率：200 MHz

写周期时间 - 字，页：35ns

访问时间：35 ns

电压 - 供电：1.7V ~ 2V

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-VBGA

供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

S27KS0643GABHA023规格：

存储器类型：易失

存储器格式：PSRAM

技术：PSRAM（伪 SRAM）

存储容量：64Mbit

存储器组织：8M x 8

存储器接口：SPI - 八 I/O

时钟频率：200 MHz

写周期时间 - 字，页：35ns

访问时间：35 ns

电压 - 供电：1.7V ~ 2V

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-VBGA

供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

关键特性：

• 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的占板空间

• 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本

• 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效

• 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能

HYPERRAM具有高吞吐量、低引脚数、外形小巧和高能效等优点，这使它成为适用于汽车、工业和通信领域的众多应用的扩展存储理想之选。

（注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！）