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韦达可控硅2P4M参数：
型号：2P4M
断态重复峰值电压VDRM：600V
重复峰值反向电压VRRM：600V
RMS导通电流IT(RMS)：2A
非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A
平均栅极功耗PG(AV)：0.1W
峰值栅极功率PGM：0.5W
IGT：50μA
VGT：0.6V
存储接点温度范围Tstg：-40~150℃
工作接点温度范围Tj：-40~110℃
2P4M封装规格：
封装：TO-252
总长度：10.4mm
本体长度：6.3mm
宽度：6.8mm
高度：2.4mm
脚间距：4.77mm
2P4M说明：
2P4M系列提供高dv/dt速率，对电磁接口具有很强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发式、点火器等
标签：mm,栅极,峰值,40,可控硅,ASEMI,2P4M From： https://blog.51cto.com/u_15615622/6357821