《DFZU2EG_4EV MPSoc之FPGA开发指南》第三十一章 DDR4读写测试实验​

DDR4读写测试实验​

DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为DDR4 SDRAM），是一种高速动态随机存取存储器，它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR3 SDRAM更高的运行性能与更低的电压。​

本章包括以下几个部分：​

1. MIG简介​
2. 实验任务​
3. 硬件设计​
4. 程序设计​
5. 下载验证​

MIG简介​

DFZU2EG/4EV MPSoC开发板板载了五片镁光的DDR4颗粒，它们的型号是MT40A256M16，这5片DDR4芯片有4片位于PS端，有1片位于PL端，本节实验使用的是位于PL端的DDR4芯片。下面我们来简单了解一下这款板载的DDR4芯片，DDR4内部结构图如下所示：​

图31.1.1 DDR4结构图​

从上图我们可以看到，DFZU2EG/4EV MPSoC开发板板载的这款DDR4芯片的行地址是15bit位宽，列地址是10bit位宽，而整个存储区域分为两个BANK组，每个BANK组又由4个子BANK组成，所以整片DDR4的容量就是2^15*2^10*8*16bit=256M*16bit。DDR4相较于DDR3在指令引脚上也发生了变化，DDR4取消了我们所熟悉的使能WE、行激活RAS和列激活CAS这三个命令引脚，而是将这三个命令引脚和地址线A14、A15以及A16复用了。除此之外在寻址的时候也不再是直接去寻址BANK，而是先寻址BANK组，然后再找到这个BANK组中的某个子BANK。整个Shu据的吞吐是8倍预取，因此Shu据在读写的时候就是16bit*8=128bit的Shu据量进行吞吐（注意虽然是8倍预取，但是每一次IO引脚上的Shu据传输依旧是16bit，因为Shu据线就16根，至于为何可以达到8倍预取和DDR4内部的双沿采样，FIFO缓冲，写Shu据逻辑结构有关）。

关于DDR4更详细的介绍大家可以去参考镁光的官方Shu据手册，这里不再赘述。

由于DDR4的时序非常复杂，如果直接编写DDR4的控制器代码，那么工作量是非常大的，且性能难以得到保证。值得一提的是，Vivado软件自带了DDR4控制器IP核，用户可以直接借助IP核来实现对DDR4的读写操作，从而大大降低了DDR4的开发难度。本次实验将使用Xilinx公司MIG(Memory Interface Generators) IP核来实现DDR4读写测试。​

MIG IP核是Xilinx公司针对DDR存储器开发的IP，里面集成存储器控制模块，实现DDR读写操作的控制流程，下图是MIG IP 核结构框图。MIG IP核对外分出了两组接口，左侧是用户接口，就是用户（FPGA）同MIG 交互的接口，用户只有充分掌握了这些接口才能操作MIG；右侧为DDR物理芯片接口，负责产生具体的操作时序，并直接操作芯片管脚，这一侧用户只负责分配正确的管脚，其他不用关心。​

图31.1.2核结构框图​

使用这个IP 核，用户将可以进行DDR4的读写操作，而不必熟悉DDR4具体的读写控制时序，当然用户必须掌握用户接口侧的操作时序，并严格遵照时序来编写代码，这样才能正确实现对DDR4的读写操作。在了解具体时序之前，大家有必要先了解相关的信号定义。下图给出了MIG IP核用户接口的信号及其说明。​

图31.1.3用户接口信号定义​

MIG IP核用户侧端口数量共26个，当然用户并不用去关心所有的信号，只需要了解本实验要用到几组重要信号。下面将对这些信号逐一讲解并以表格的形式呈现给大家。为了与官方的文档保持一致，表中标明的信号的方向是以MIG IP核作为参照的，例如表格中的信号方向定义为输出，那么相对于用户端（FPGA）来说实际上是输入。​

表31.1.1核用户接口部分信号定义​

以上是用户需要用到的信号，其他信号请大家自行了解。​

DDR4的读或者写都包含写命令操作，其中写操作命令（app_cmd）的值等于0，读操作app_cmd的值等于1。首先来看写命令时序，如下图所示。首先检查app_rdy，为高则表明此时IP核命令接收处于准备好状态，可以接收用户命令，在当前时钟拉高app_en，同时发送命令（app_cmd）和地址（app_addr），此时命令和地址被写入。​

图31.1.4写命令时序​

下面来看写数据的时序，如下图所示。​

图31.1.5非背靠背写时序​

如上图所示，写数据有三种情形均可以正确写入：​

（1）写数据时序和写命令时序发生在同一拍；​

（2）写数据时序比写命令时序提前一拍；​

（3）写数据时序比写命令时序至多延迟晚两拍；​

结合上图，写时序总结如下：首先需要检查app_wdf_rdy，该信号为高表明此时IP核数据接收处于准备完成状态，可以接收用户发过来的数据，在当前时钟拉高写使能（app_wdf_wren），给出写数据（app_wdf_data）。这样加上发起的写命令操作就可以成功向IP核写数据。这里有一个信号app_wdf_mask，它是用来屏蔽写入数据的，该信号为高则屏蔽相应的字节，该信号为0默认不屏蔽任何字节。​

这里需要指出的是，DDR4的读或者写操作都可以分为背靠背和非背靠背两种情形。背靠背，即读或者写每个时钟都连续进行，中间没有间隙；非背靠背写则是非连续的读写。​

对于背靠背写，其实也有三种情形，唯一点不同的是，它没有最大延迟限制，如下图所示。​

图31.1.6背靠背写时序​

接着来看读数据，如下图所示：​

图31.1.7读时序​

读时序比较简单，发出读命令后，用户只需等待数据有效信号（app_rd_data_valid）拉高，为高表明此时数据总线上的数据是有效的返回数据。需要注意的是，在发出读命令后，有效读数据要晚若干周期才出现在数据总线上。下面是背靠背读的情况，如下图所示。​

图31.1.8背靠背读时序图​

需要注意的是，在连续读的时候，读到的数据顺序跟请求的命令/地址是相对应的。通常使用DDR4的时候，为了最大限度地提高DDR4效能，充分利用突发写的特点，非背靠背很少用，而更多地采用背靠背操作。本章实验的读写操作就是基于背靠背模式操作的。​

实验任务​

本节的实验任务是先向DDR4的存储器地址0至999分别写入数据0~999；写完之后再读取存储器地址0~999中的数据，若读取的值全部正确则LED灯常亮，否则LED灯闪烁。​

硬件设计​

本节实验使用的是PL端的DDR4，如果想使用PS端的DDR4，可以参考正点原子的嵌入式Vitis开发指南教程。PL端DDR4的硬件原理图如下图所示。在PCB的设计上，完全遵照Xilinx的DDR4硬件设计规范，严格保证等长设计和阻抗控制，从而保证高速信号的数据传输的可靠性。​

图31.3.1 DDR4硬件原理图​

接下来我们来看看本节实验所用到的管脚，管脚分配可以放在工程的XDC文件中，也可以打开io planning窗口在io ports栏中分配管脚。我们本节实验用到的管脚如下表所示（因为管脚太多这里只贴出部分管脚）：​

表31.3.1读写测试实验部分管脚分配​

如上表所示，本次实验用到了五种电平，分别是LVCMOS、SSTL、POD12、DIFF_SSTL以及DIFF_ POD12，下面对于这五种电平我们做一个简单的介绍。​

LVCMOS：全称Low Voltage Complementary Metal Oxide Semiconductor，低压互补金属氧化物半导体；​

SSTL：全称Stub Series Terminated Logic，短截线串联端接逻辑；​

DIFF_SSTL：全称Difference Stub Series Terminated Logic，差分短截线串联端接逻辑；​

POD12：POD12是由VDDQ端提供的电压，一般用于DDR4，当POD12电压驱动端的上拉电路导通，电路处于高电平时，回路上没有电流流过，这样的设计较少了功耗；​

DIFF_ POD12：与POD12一样，只不过是差分电压。​

除此之外，LVCMOS的特点是噪声容限大，速度较SSTL慢；SSTL速度快，通常要匹配合适的端接电阻，常用于高速内存接口如DDR4；DIFF_SSTL则是带有差分功能的SSTL。POD和SSTL的最大区别在于接收端的终端电压（POD为VDDQ，SSTL为VDDQ/2）。POD可以降低寄生引脚电容和I/O终端功耗，并且即使在VDD电压降低的情况下也能稳定工作。​

DDR4的管脚使用的是SSTL、POD12、DIFF_SSTL以及DIFF_ POD12，这里要注意一下DDR4复位信号c0_DDR4_reset_n，它并没有使用SSTL，原因是SSTL的噪声容限不够大，容易受干扰造成误复位。​

本实验对应的XDC约束语句如下所示。注意，在这里仅给出了时钟、复位、和LED读写指示信号的管脚约束。DDR4部分的管脚约束在文档中不再给出，大家可以从提供的例程中查看。​

set_property -dict {PACKAGE_PIN AE5 IOSTANDARD DIFF_HSTL_I_12} [get_ports c0_sys_clk_p]​
set_property -dict {PACKAGE_PIN AF5 IOSTANDARD DIFF_HSTL_I_12} [get_ports c0_sys_clk_n]​
set_property -dict {PACKAGE_PIN AH11 IOSTANDARD LVCMOS33} [get_ports sys_rst_n]​
set_property -dict {PACKAGE_PIN AE10 IOSTANDARD LVCMOS33} [get_ports led]

程序设计​

根据实验任务，可以大致规划出系统的控制流程：首先FPGA通过调用MIG IP核向DDR4芯片写入数据，写完之后通过MIG IP核从DDR4芯片读出所写入的数据，并判断读出的数据与写入的数据是否相同，如果相同则LED灯常亮，否则LED灯闪烁。由此画出系统的功能框图如下图所示：​

图31.4.1 DDR4读写测试实验系统框图​

由系统总体框图可知，FPGA顶层模块例化了以下两个模块，分别是读写模块（ddr4_rw）和MIG IP核模块。​

各模块端口及信号连接如下图所示：​

图31.4.2顶层模块原理图​

其中DDR4读写模块的作用是生成DDR4的读写数据和MIG IP核的驱动时序，并且在DDR4模块里比较写入DDR4的数据与读出的数据是否一致，如果读写一致，说明DDR4读写正确，此时LED指示灯常亮；否则说明DDR4读写失败，LED指示灯处于闪烁状态。而MIG IP核内部包含了整个DDR4的驱动，一方面它负责驱动板载的DDR4芯片，另一方面和用户模块进行数据交互，在本节实验中用户模块就是DDR4读写模块，MIG IP核负责和DDR4读写模块进行数据交互。​

需要注意的是，本节实验的系统时钟是一对差分时钟，频率为100Mhz（c0_sys_clk_p，c0_sys_clk_n），这对差分时钟直接连接到MIG IP核，由MIG IP核生成DDR4的驱动时钟（c0_DDR4_ck_t，c0_DDR4_ck_c），输出给外部DDR4（MT40A256M16GE-083E）芯片使用。除此之外，FPGA内部的用户模块时钟也是由MIG IP核提供，本节实验的用户模块时钟是c0_DDR4_ui_clk，作为DDR4读写模块的操作时钟。​

接下来我们介绍下如何对MIG IP核进行配置。首先在Vivado环境里新建一个工程，本实验取名为ddr4_rw_top。再点击Project Manager界面下的IP Catalog，打开IP Catalog界面。如下图所示。​

图31.4.3IP Catalog”按钮​

在搜索栏中输入MIG，此时出现MIG IP核，我们找到DDR4 SDRAM(MIG)，如下图所示。​

图31.4.4搜索栏中输入关键字​

双击打开DDR4 SDRAM(MIG)，出现如下图所示界面。​

图31.4.5 IP核配置​

上图所示的是MIG IP 核的Basic配置界面，这里我们对几个重要的配置信息作出说明：​

Component Name：MIG IP核的命名，可以保持默认，也可以自己取一个名字。​

Mode and Interface：控制器的模式和接口选项，可以选择AXI4接口或者普通模式，并生成对应的PHY组件（详情请参考官方文档pg150）。​

Memory Device Interface Speed：板载DDR4芯片的IO总线时钟频率，这里可以最大支持938ps（1066MHz），IO总线时钟频率等于2倍DDR4芯片核心频率（533 MHz）。​

PHY to controller clock frequency ratio：用户时钟分频系数，这里只能选择4比1，因此本节实验的用户时钟频率等于DDR4芯片核心频率的四分之一，即133.25MHz。​

Reference input Clock Speed：参考时钟，本节实验选择10006ps(参考时钟频率和系统时钟频率保持一致即100MHz)。​

Controller Options：控制器配置栏，如果使用MIG IP核内部默认的DDR4芯片，则只需要在Memory Part栏选中对应的DDR4芯片型号即可，例如我们板载的DDR4芯片型号为MT40A256M16GE-083E（如果多片DDR4联用注意修改数据位宽）。如果使用的DDR4芯片型号不在MIG IP和的默认配置中就需要手动定义DDR4芯片的参数文件，这个时候就需要使能定制型号（EnableCustom Parts Data File），然后加载配置文件（Custom Parts Data File）。​

Memory Options：配置突发长度和CAS延迟的，这里保持默认即可（如果需要修改请参考DDR4芯片数据手册）。​

接下来我们选择MIG IP核配置界面的Advanced Clocking界面，如下所示：​

图31.4.6 IP核配置界面​

Advanced Clocking界面只需要关注一下Additional Clock Outputs配置，这里可以额外输出四路时钟，如果有需求这里可以生成，我们本节实验不需要用到额外时钟，所以全部“None”即可。​

接下来切换至Advanced Options界面，如下图所示：​

图31.4.7 IP核配置界面​

Advanced Options界面的配置信息如下：​

Debug Signals for controller：在Xilinx示例设计中，启用此功能会把状态信号连接到ChipScope ILA核中。​

Microblaze MCS ECC option：Microblaze的配置选项，选中它Microblaze的MCS ECC尺寸会增加。​

Simulation Options：此选项仅对仿真有效。在选择BFM选项时，为XiPhy库使用行为模型，以加快模拟运行时间。选择Unisim则对XiPhy原语使用Unisim库。​

Example Design Options：示例工程仿真文件的选择。​

Advance Memory Options：提高运行性能的选项，可以选择自刷新和校准功能，并将这些信息保存在XSDB BRAM中，也可以把XSDB BRAM中的信息存储在外部存储器中。​

Migration Options：引脚兼容选项，如果想兼容UlitraScale和UltraScale+ fpga，就把这个选项选中。​

最后我们再来看看IO Planning and Design Checklist界面，如下图所示：​

图31.4.8 IP核配置界面​

IO Planning and Design Checklist界面提示我们DDR4 IO引脚分配的方式发生改变，不再像之前DDR3那样，需要在MIG IP核中就分配好管脚，DDR4可以在IO Planning窗口分配管脚（或者直接编写XDC文件）。​

当所有的配置信息全部修改完成后，点击“OK”按钮，弹出的界面如下图所示：​

图31.4.9 生成IP核​

点击Generate按钮生成IP核，IP核生成完成后，开始编写DDR4读写实验的代码。​

顶层模块的代码，如下所示：​

1 module ddr4_rw_top(​
2 output c0_ddr4_act_n ,​
3 output [16:0] c0_ddr4_adr ,​
4 output [1:0] c0_ddr4_ba ,​
5 output [0:0] c0_ddr4_bg ,​
6 output [0:0] c0_ddr4_cke ,​
7 output [0:0] c0_ddr4_odt ,​
8 output [0:0] c0_ddr4_cs_n ,​
9 output [0:0] c0_ddr4_ck_t ,​
10 output [0:0] c0_ddr4_ck_c ,​
11 output c0_ddr4_reset_n ,​
12 inout [1:0] c0_ddr4_dm_dbi_n,​
13 inout [15:0] c0_ddr4_dq ,​
14 inout [1:0] c0_ddr4_dqs_c ,​
15 inout [1:0] c0_ddr4_dqs_t , ​
16 ​
17 //Differential system clocks​
18 input c0_sys_clk_p,​
19 input c0_sys_clk_n,​
20 output[1:0] led,​
21 input  sys_rst_n​
22 ); ​
23 ​
24 //wire define ​
25 ​
26 wire error_flag;​
27 ​
28 wire c0_ddr4_ui_clk ;​
29 wire c0_ddr4_ui_clk_sync_rst ;​
30 wire c0_ddr4_app_en ;​
31 wire c0_ddr4_app_hi_pri ;​
32 wire c0_ddr4_app_wdf_end ;​
33 wire c0_ddr4_app_wdf_wren ;​
34 wire c0_ddr4_app_rd_data_end ; ​
35 wire c0_ddr4_app_rd_data_valid ; ​
36 wire c0_ddr4_app_rdy ; ​
37 wire c0_ddr4_app_wdf_rdy ; ​
38 wire [27 : 0] c0_ddr4_app_addr ;​
39 wire [2 : 0] c0_ddr4_app_cmd ;​
40 wire [127 : 0] c0_ddr4_app_wdf_data;​
41 wire [15 : 0] c0_ddr4_app_wdf_mask ;​
42 wire [127 : 0] c0_ddr4_app_rd_data ;​
43 ​
44 ​
45 ​
46 wire locked; //锁相环频率稳定标志​
47 wire clk_ref_i; //DDR4参考时钟​
48 wire sys_clk_i; //MIG IP核输入时钟​
49 wire clk_200; //200M时钟​
50 wire ui_clk_sync_rst; //用户复位信号​
51 wire init_calib_complete; //校准完成信号​
52 wire [20:0] rd_cnt; //实际读地址计数​
53 wire [1 :0] state; //状态计数器​
54 wire [23:0] rd_addr_cnt; //用户读地址计数器​
55 wire [23:0] wr_addr_cnt; //用户写地址计数器​
56 ​
57 //*****************************************************​
58 //** main code​
59 //*****************************************************​
60 ​
61 //读写模块​
62 ddr4_rw u_ddr4_rw(​
63 .ui_clk (c0_ddr4_ui_clk), ​
64 .ui_clk_sync_rst (c0_ddr4_ui_clk_sync_rst), ​
65 .init_calib_complete (c0_init_calib_complete),​
66 .app_rdy (c0_ddr4_app_rdy),​
67 .app_wdf_rdy (c0_ddr4_app_wdf_rdy),​
68 .app_rd_data_valid (c0_ddr4_app_rd_data_valid),​
69 .app_rd_data (c0_ddr4_app_rd_data),​
70 ​
71 .app_addr (c0_ddr4_app_addr),​
72 .app_en (c0_ddr4_app_en),​
73 .app_wdf_wren (c0_ddr4_app_wdf_wren),​
74 .app_wdf_end (c0_ddr4_app_wdf_end),​
75 .app_cmd (c0_ddr4_app_cmd),​
76 .app_wdf_data (c0_ddr4_app_wdf_data),​
77 .state (state),​
78 .rd_addr_cnt (rd_addr_cnt),​
79 .wr_addr_cnt (wr_addr_cnt),​
80 .rd_cnt (rd_cnt),​
81 ​
82 .error_flag (error_flag),​
83 .led (led)​
84 );​
85 ddr4_0 u_ddr4_0 (​
86 .c0_init_calib_complete(c0_init_calib_complete),//初始化完成信号 ​
87 .dbg_clk(), ​
88 .c0_sys_clk_p(c0_sys_clk_p), // 系统差分时钟p​
89 .c0_sys_clk_n(c0_sys_clk_n), // 系统差分时钟n​
90 .dbg_bus(), ​
91 .c0_ddr4_adr(c0_ddr4_adr), // 行列地址​
92 .c0_ddr4_ba(c0_ddr4_ba), // bank地址​
93 .c0_ddr4_cke(c0_ddr4_cke), // 时钟使能​
94 .c0_ddr4_cs_n(c0_ddr4_cs_n), // 片选信号​
95 .c0_ddr4_dm_dbi_n(c0_ddr4_dm_dbi_n), // 数据掩码​
96 .c0_ddr4_dq(c0_ddr4_dq), // 数据线​
97 .c0_ddr4_dqs_c(c0_ddr4_dqs_c), // 数据选通信号​
98 .c0_ddr4_dqs_t(c0_ddr4_dqs_t), // 数据选通信号​
99 .c0_ddr4_odt(c0_ddr4_odt), // 终端电阻​
100 .c0_ddr4_bg(c0_ddr4_bg), // bank组地址​
101 .c0_ddr4_reset_n(c0_ddr4_reset_n), // 复位信号​
102 .c0_ddr4_act_n(c0_ddr4_act_n), // 激活指令引脚​
103 .c0_ddr4_ck_c(c0_ddr4_ck_c), //时钟信号​
104 .c0_ddr4_ck_t(c0_ddr4_ck_t), // 时钟信号​
105 //user interface​
106 .c0_ddr4_ui_clk(c0_ddr4_ui_clk), // 用户时钟​
107 .c0_ddr4_ui_clk_sync_rst(c0_ddr4_ui_clk_sync_rst), // 用户复位​
108 .c0_ddr4_app_en(c0_ddr4_app_en), // 指令写入使能​
109 .c0_ddr4_app_hi_pri(1'b0), ​
110 .c0_ddr4_app_wdf_end(c0_ddr4_app_wdf_end), // 写数据最后一个时钟​
111 .c0_ddr4_app_wdf_wren(c0_ddr4_app_wdf_wren), // 写数据使能​
112 .c0_ddr4_app_rd_data_end(c0_ddr4_app_rd_data_end),// 读数据最后一个数据​
113 .c0_ddr4_app_rd_data_valid(c0_ddr4_app_rd_data_valid), // 读数据有效  ​
114 .c0_ddr4_app_rdy(c0_ddr4_app_rdy), // 指令接收准备完成，可以开始接收指令​
115 .c0_ddr4_app_wdf_rdy(c0_ddr4_app_wdf_rdy), // 数据接收准备完成，可以开始接收数据​
116 .c0_ddr4_app_addr(c0_ddr4_app_addr), // 用户地址​
117 .c0_ddr4_app_cmd(c0_ddr4_app_cmd), // 读写控制命令​
118 .c0_ddr4_app_wdf_data(c0_ddr4_app_wdf_data), // 写数据​
119 .c0_ddr4_app_wdf_mask(16'b0), // input wire [15 : 0] c0_ddr4_app_wdf_mask​
120 .c0_ddr4_app_rd_data(c0_ddr4_app_rd_data), // 读数据​
121 .sys_rst(~sys_rst_n) //系统复位​
122 ); ​
123 ​
124 endmodule

顶层模块的代码共例化了两个子模块，分别是DDR4读写模块（ddr4_rw）和MIG IP核模块（ddr4_0），主要实现各模块的数据交互。​

DDR4读写模块的代码如下：​

1 module ddr4_rw ( ​
2 input ui_clk, //用户时钟​
3 input ui_clk_sync_rst, //复位,高有效​
4 input init_calib_complete, //DDR4初始化完成​
5 input app_rdy, //MIG 命令接收准备好标致​
6 input app_wdf_rdy, //MIG数据接收准备好​
7 input app_rd_data_valid, //读数据有效​
8 input [127:0] app_rd_data, //用户读数据​
9 output reg [27:0] app_addr, //DDR4地址 ​
10 output app_en, //MIG IP发送命令使能​
11 output app_wdf_wren, //用户写数据使能​
12 output app_wdf_end, //突发写当前时钟最后一个数据 ​
13 output [2:0] app_cmd, //MIG IP核操作命令，读或者写​
14 output reg [127:0] app_wdf_data, //用户写数据​
15 output reg [1 :0] state, //读写状态​
16 output reg [23:0] rd_addr_cnt, //用户读地址计数​
17 output reg [23:0] wr_addr_cnt, //用户写地址计数​
18 output reg [20:0] rd_cnt, //实际读地址标记​
19 output reg error_flag, //读写错误标志​
20 output reg led //读写测试结果指示灯​
21 );​
22 ​
23 //parameter define​
24 parameter TEST_LENGTH = 10;​
25 parameter L_TIME = 25'd25_000_000;​
26 parameter IDLE = 2'd0; //空闲状态​
27 parameter WRITE = 2'd1; //写状态​
28 parameter WAIT = 2'd2; //读到写过度等待​
29 parameter READ = 2'd3; //读状态​
30 ​
31 //reg define​
32 reg [24:0] led_cnt; //led计数​
33 ​
34 //wire define​
35 wire error; //读写错误标记​
36 wire rst_n; //复位，低有效

代码第2行到第20行是模块的接口定义，大部分是MIG IP核中要操作的用户接口信号，这些信号在本章简介部分中已经以表格的形式详细呈现给大家，有不清楚的地方可以回去查看。​

代码第24行和第29行是参数定义，首先定义了TEST_LENGTH（测试长度），注意这里的测试长度是相对于用户端来说的，一个测试长度对应到DDR芯片需要访问是8个地址，即8个16Byte（共128位）。接下来定义了L_TIME（闪烁间隔），该参数用来控制LED闪烁频率。最后定义了读写测试的四个状态，IDLE（空闲）、WRITE（写）、WAIT（等待）和READ（读）。​

37 ​
38 //*****************************************************​
39 //** main code​
40 //***************************************************** ​
41 ​
42 assign rst_n = ~ui_clk_sync_rst;​
43 //读信号有效，且读出的数不是写入的数时，将错误标志位拉高​
44 assign error = (app_rd_data_valid && (rd_cnt! = app_rd_data));​
45 ​
46 //在写状态MIG IP 命令接收和数据接收都准备好,或者在读状态命令接收准备好，此时拉高使能信号，​
47 assign app_en = ((state == WRITE && (app_rdy && app_wdf_rdy))​
48 ||(state == READ && app_rdy)) ? 1'b1:1'b0;​
49 ​
50 //在写状态,命令接收和数据接收都准备好，此时拉高写使能​
51 assign app_wdf_wren = (state == WRITE && (app_rdy && app_wdf_rdy)) ? 1'b1:1'b0;​
52 ​
53 //由于DDR4芯片时钟和用户时钟的分频选择4:1，突发长度为8，故两个信号相同​
54 assign app_wdf_end = app_wdf_wren; ​
55 ​
56 //处于读的时候命令值为1，其他时候命令值为0​
57 assign app_cmd = (state == READ) ? 3'd1 :3'd0; ​
58

代码第42行，信号ui_clk_sync_rst是MIG IP核产生，用于复位用户逻辑，其高电平有效。在代码中将ui_clk_sync_rst信号取反，是为了转换成代码中习惯使用的复位低电平有效。​

代码第44行，是错误标志的逻辑判断。读数据有效信号（app_rd_data_valid）为高时去比较app_rd_data和rd_cnt的值，不相等则读写错误。关于rd_cnt的含义将会在下文详细介绍。​

代码第47行到48行，首先产生了MIG IP核命令发送使能信号，这里可以看出，读或者写状态都要拉高该信号。需要特别指出的是，在写的时候，app_en拉高的条件是：app_rdy（MIG命令接收准备好标志）和app_wdf_rdy（MIG数据接收准备好标致）同时为高，根据数据手册，用户可以只判断app_rdy信号。当app_rdy信号为高电平时，可以拉高使能app_en，此处之所以同时判断app_rdy和app_wdf_rdy，是因为本实验只考虑DDR4写状态命令发送和数据发送同拍的情形，这样的做法基本上不会对DDR4读写操作效率造成很大影响，但是却能大大简化代码编写难度。​

代码第51行，产生写使能，如上所述，本实验只考虑写命令和写数据同时发起的情形，当检测到命令接收和数据接收标志同时拉高的时候，写操作也在同一时间被发起，即拉高app_wdf_wren（写数据使能）。​

这里要解释一下代码第54行。上文说过app_wdf_end表明当前时钟是突发写过程的最后一个时钟周期，由于本实验采用的是4:1模式，每一个用户时钟周期实际上都完成了一个写突发操作，所以在突发写有效时，即app_wdf_wren拉高，每个时钟，app_wdf_end也跟着拉高，所以在4:1模式信号app_wdf_end和app_wdf_wren是同步变化的。​

59 //DDR4读写逻辑实现​
60 always @(posedge ui_clk or negedge rst_n) begin​
61 if((~rst_n)||(error_flag)) begin ​
62 state <= IDLE; ​
63 app_wdf_data <= 128'd0; ​
64 wr_addr_cnt <= 24'd0; ​
65 rd_addr_cnt <= 24'd0; ​
66 app_addr <= 28'd0; ​
67 end​
68 else if(init_calib_complete)begin //MIG IP核初始化完成​
69 case(state)​
70 IDLE:begin​
71 state <= WRITE;​
72 app_wdf_data <= 128'd0; ​
73 wr_addr_cnt <= 24'd0; ​
74 rd_addr_cnt <= 24'd0; ​
75 app_addr <= 28'd0; ​
76 end​
77 WRITE:begin​
78 if(wr_addr_cnt == TEST_LENGTH - 1 &&(app_rdy && app_wdf_rdy))​
79 state <= WAIT;  //写到设定的长度跳到等待状态​
80 else if(app_rdy && app_wdf_rdy)begin //写条件满足​
81 app_wdf_data <= app_wdf_data + 1; //写数据自加​
82 wr_addr_cnt <= wr_addr_cnt + 1; //写地址自加​
83 app_addr <= app_addr + 8; //DDR4 地址加8​
84 end​
85 else begin //写条件不满足，保持当前值​
86 app_wdf_data <= app_wdf_data; ​
87 wr_addr_cnt <= wr_addr_cnt;​
88 app_addr <= app_addr; ​
89 end​
90 end​
91 WAIT:begin ​
92 state <= READ;  //下一个时钟，跳到读状态​
93 rd_addr_cnt <= 24'd0; //读地址复位​
94 app_addr <= 28'd0; //DDR4读从地址0开始​
95 end​
96 READ:begin //读到设定的地址长度 ​
97 if(rd_addr_cnt == TEST_LENGTH - 1 && app_rdy)​
98 state <= IDLE;  //则跳到空闲状态 ​
99 else if(app_rdy)begin  //若MIG已经准备好,则开始读​
100 rd_addr_cnt <= rd_addr_cnt + 1'd1; //用户地址每次加一​
101 app_addr <= app_addr + 8;  //DDR4地址加8​
102 end​
103 else begin  //若MIG没准备好,则保持原值​
104 rd_addr_cnt <= rd_addr_cnt;​
105 app_addr <= app_addr; ​
106 end​
107 end​
108 default:begin​
109 state <= IDLE;​
110 app_wdf_data <= 128'd0;​
111 wr_addr_cnt <= 24'd0;​
112 rd_addr_cnt <= 24'd0;​
113 app_addr <= 28'd0;​
114 end​
115 endcase​
116 end​
117 end ​
118 ​
119 //对DDR4实际读数据个数编号计数​
120 always @(posedge ui_clk or negedge rst_n) begin​
121 if(~rst_n) ​
122 rd_cnt <= 0; //若计数到读写长度，且读有效，地址计数器则置0 ​
123 else if(app_rd_data_valid && rd_cnt == TEST_LENGTH - 1)​
124 rd_cnt <= 0; //其他条件只要读有效，每个时钟自增1​
125 else if (app_rd_data_valid )​
126 rd_cnt <= rd_cnt + 1;​
127 end​
128 ​
129 //寄存状态标志位​
130 always @(posedge ui_clk or negedge rst_n) begin​
131 if(~rst_n) ​
132 error_flag <= 0;​
133 else if(error)​
134 error_flag <= 1;​
135 end​
136 ​
137 //led指示效果控制​
138 always @(posedge ui_clk or negedge rst_n) begin​
139 if((~rst_n) || (~init_calib_complete )) begin​
140 led_cnt <= 25'd0;​
141 led <= 1'b0;​
142 end​
143 else begin​
144 if(~error_flag)  //读写测试正确 ​
145 led <= 1'b1; //led灯常亮​
146 else begin //读写测试错误​
147 led_cnt <= led_cnt + 25'd1;​
148 if(led_cnt == L_TIME - 1'b1) begin​
149 led_cnt <= 25'd0;​
150 led <= ~led; //led灯闪烁​
151 end ​
152 end​
153 end​
154 end​
155 ​
156 endmodule

代码60行起的always模块是DDR4读写逻辑的实现。采用了一段式状态机来编写整个读写测试逻辑，如下图所示，一共分为四个状态。描述如下：上电一开始处于IDLE（空闲）状态，初始化完成后跳到WRITE(DDR4写)，写到测试长度跳到WAIT(等待)状态，在此消耗一个实在周期后无条件跳到READ(DDR4读)，读到测试长度跳回空闲状态。​

图31.4.10读写测试状态跳转图​

下面来讲解具体的各状态，主要是写和读状态。​

首先来看看写过程，为了便于理解，下面给出了ILA中采集到的DDR4写的波形，同时为了方便观察完整的写过程，把本次实验的一次读写长度设为10。如下图所示：​

图31.4.11写时序​

写状态首先判断MIG IP核发送过来的信号app_rdy和app_wdf_rdy，当这两个信号同时为高时，拉高app_en和app_wdf_wren，同时时给写出命令，即app_cmd为0，此刻正式进行DDR4写过程。写的过程中，写数据app_wdf_data和地址计数wr_addr_cnt在每个时钟自加1。另外大家注意到app_addr每次自加8，前面其实提到，用户端在每一个用户时钟进行一个128bit的数据的传输，在DDR4物理芯片端需要分8次传输，每次传输一个地址位宽16bit，8次就需要8个地址。通过写时序图和ILA图进行对比，可以发现两者是一致的，即说明本次实验是成功的​

代码第96到107行是DDR4读过程，在读状态，判断MIG IP核发送过来的信号app_rdy，当这个信号为高时，拉高app_en，同时给出读命令，即app_cmd为1，此时开始进行读操作。在进行读操作的时候，app_addr同样每次自加8。下面还是给出ILA上观察到的读信号波形，方便大家理解查看。​

图31.4.12读时序​

读操作结束又跳回空闲状态，如代码第98行所示。​

代码第120行到127行的always模块，产生rd_cnt，实现了对读出的地址数据的编号。为什么会有这样的处理，根本原因在于读数据的返回和读操作并不是在同一拍出现的，会晚若干周期出现。这样意味着不能用读数据直接和当前的读地址去比较，所以本次实验单独构造了rd_cnt这个信号，它代表一次读操作真正返回的有效的读数据个数。​

代码第130行到135行的always模块，实现了错误标识的寄存。代码第138行到154行的always模块实现读写测试LED灯的显示逻辑。错误则闪烁，正确则常亮。​

最后通过采集到的波形来看读写测试结果，在读数据有效信号app_rd_data_valid为高时，数据总线上的app_rd_data分别和地址编号rd_cnt相等。按照本次实验的设计，写进DDR4的数值是它的地址编号，也即等于数据编号，说明是正确的读写结果。当然大家可以看到错误指示信号error_flag始终为0，即没有出现读写错误。​

图31.4.13读结果​

下载验证​

将下载器一端连接电脑，另一端与开发板上的JTAG下载口连接，接下来连接电源线后拨动开关按键给开发板上电。​

点击Vivado左侧“Flow Navigator”窗口最下面的“Open Hardware Manager”，此时Vivado软件识别到下载器，点击“Hardware”窗口中“Progam Device”下载程序，在弹出的界面中选择“Program”下载程序。​

程序下载完成后，开发板上的PL_LED1在短暂延时之后，始终处于常亮的状态，如下图所示： ​

图31.5.1板子测试结果​

此时说明DDR4读写测试成功。​

在这里再额外补充一点，将带有DDR4 MIG IP核的工程下载进开发板时，会出现一个MIG自带的状态检测核，如下图所示：​

图31.5.2 DDR4状态​

从上图中可以看到MIG运行的一些状态信息，如果运行正常会显示“PASS”。到这里DDR4读写实验就给大家全部讲解完了。​