1、LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI’的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成与低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。
全半桥驱动器：LMG3522R030RQSR
输出配置：低端
应用：DC 电机，通用
接口：PWM
负载类型：电感，电容性，电阻
技术：NMOS
导通电阻（典型值）：26 毫欧
电流 - 输出/通道：38A
电流 - 峰值输出：-
电压 - 供电：7.5V ~ 18V
电压 - 负载：650V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
特性：-
故障保护：限流（可调），超温，短路，UVLO
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：52-VQFN、52-VQFN（12x12）
2、TPS92667QPHPRQ1 汽车LED矩阵管理器通过单独的像素级LED控制提供全动态自适应照明解决方案。TPS92667-Q1包括四个子串的四串联集成开关，用于旁路连接独立LED。单独子串使得TPS92667-Q1能够接受单个或多个电流源。
LED驱动器：TPS92667QPHPRQ1、TPS92667
类型：线性
拓扑：-
内部开关：是
输出数：16
电压 - 供电（最低）：4.5V
电压 - 供电（最高）：5.5V
电压 - 输出：0V ~ 60V
电流 - 输出/通道：-
频率：-
调光：PWM
应用：汽车级
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-TQFP、48-HTQFP（7x7）
3、UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器专为SiC mosfet和最高2121Vpk的igbt设计。该器件提供先进的保护功能，一流的动态性能和健壮性。
UCC21755QDWRQ1 具有高达±10A的峰值源和汇聚电流。输入端与输出端采用SiO2电容隔离技术隔离，支持高达1.5kVRMS的工作电压，12.8kVPK抗浪涌，具有超过40年的隔离屏障寿命，低部分对部分倾斜，>150V/ns共模噪声抗扰度(CMTI)。
一般规格
技术：容性耦合
通道数：1
电压 - 隔离：5700Vrms
共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
脉宽失真（最大）：30ns
上升/下降时间（典型值）：33ns，27ns
电流 - 输出高、低：10A，10A
电流 - 峰值输出：10A
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-
电压 - 输出供电：13V ~ 33V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC
认证机构：UL，VDE
基本产品编号：UCC21755
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