因CH32F203 相对于CH32F103 flash操作的快速编程模式由单次128字节编程变成了单次256字节编程，该文档说明主要目的是为了方便客户在原先CH32F103工程的基础上实现flash 单次256字节快速编程的快速移植。
1、在ch32f10x_flash.c 文件中，增加flash寄存器快速编程位定义
修改后如下图所示：
2、在ch32f10x_flash.c 文件中，修改FLASH_ErasePage_Fast()函数
修改后如下图所示：
3、在ch32f10x_flash.c 中修改FLASH_ProgramPage_Fast()快速编程函数。
修改后如下图所示：
4、在ch32f10x_flash.h文件中，增加FLASH_ProgramPage_Fast()快速编程函数的声明。
修改后如下图所示：
5、上述步骤完成后，即可执行单次256字节的编程，在main.c文件中，编写Flash_Test_Fast()函数，使能USART1_TX（PA9）打印调试结果，测试单次256字节编程。
